To Navuhodonosor
Да, действительно, имело место небольшое взаимонепонимание. Сорри.
Мой предыдущий пост относился к ситуации, описанной Олесем, с мегагерцовыми уходами частоты.
Что же касаемо эффекта, описанного Вами, то я лишь не согласился со словами: “Природа так и не была до конца выявлена” , т.к. эффект этот давно известен и объяснен.
Ибо:
«Что было, то и будет; и что делалось, то и будет делаться, и нет ничего нового под солнцем» (Екклесиаст, кн. 1:9).
Эффект, который вы наблюдали и с которым многие пытаются бороться, называется долговременная нестабильность частоты, типа монотонного дрейфа. Существует как в кварцевых генераторах, так и в генераторах на ДР. В англоязычной литературе укоренился термин – long term drift (LTD). Есть еще post-tuning drift, thermal drift, start-up drift и проч.
И если температурный дрейф частоты DRO имеет величину от 1 до 5 ppm/C, либо чуть выше, то long term drift обычно менее 0.5 ppm/day. Экспериментальные данные, взяты из одной из пионерских статей про long term drift free running 11GHz DRO от 1987 года (выложил ее ниже)
Вы, правда, назвали наблюдаемую цифру чуть большую -десятки кГц/час.
Но главное здесь – монотонность роста частоты.
Исследования выявили основную причину этого – затворная емкость FET транзистора, точнее ее дрейф. Существуют убедительные экспериментальные и теоретические доказательства этому. Субмикронные подзатворные структуры, особенно в GaAs FET, не столь стабильны, как нам хотелось бы.
После отжига транзистора при 150-180 С ( искусственное старение, или же в ходе заводской сборки с пайкой волной припоя –до 30сек при 250С ) скорость долговременного дрейфа частоты падает на порядок.
Основные рекомендации по снижению долговременного дрейфа частоты DRO:
1. Подбор транзисторов по максимальной стабильности емкости затвора, или их предварительный отжиг.
2. Электрические параметры транзистора в схеме DRO должны быть значительно ниже 50% предельно допустимых, чтобы температура активного канала в кристалле транзистора была ниже 120 С.
3. Весьма важна механическая жесткость резонансной полости- корпуса и качество компаунда, крепящего ДР на подставку.
4. Минимизировать механические напряжения у компонентов поверхностного монтажа платы генератора, возникающие при поверхностном монтаже.И естественно высокая степень очистки платы и корпуса DRO.
Кстати, лабораторная пайка паяльником, с поочередным касанием к выводам транзистора, чипа емкости или индуктивности, вызывает механические напряжения в этих компонентах, и рост скорости дрейфа их параметров. Чего нет при заводской технологии пайки поверхностого монтажа.
Сообщение отредактировал yusin - May 10 2007, 13:44
Эскизы прикрепленных изображений