FLYBACK и индуктивность рассеяния Опции

[NewMaestro]

Сделал трансформатор на E25 N87 GAP=1.0мм
Поставил в схему. Через 20 секунд работы TVS, подключенный к первичке, вышел из строя.

Индуктивность первички 317мкГн. Измерил индуктивность рассеяния - оказалась 42мкГн. Очевидно, что это много.

Все мотал ровненько, плотненько, аккуратненько, а связь между обмотками получилась хреновая. Думаю в чем же может быть дело.
Подскажите, плз,как раасеяние зависит от величины зазора!?

И еще, подозреваю, что ляпсус может быть вот в чем. Первичка получилась в два слоя. Причем первый слой (около 36 витков) заполнен полностью виток к витку. А на второй слой осталось около 23 витков. Мотал виток к витку и в итоге слой заполнен на 60%.
Наверное нужно было по всему слою равномерно распределить эти 23 витка??

[NewMaestro]

С TVSом все понятно. Вы думаете, что я взял диод на маленькое значение обратного напряжения? 200вольт это маленькое? Мне кажется это самое то.

А вот насчет коэффициента трансформации не понятно. Какая связь между коэффициентом трансформации и рассеянием? :-)

Я сам думаю, что дело на 90% в зазоре. Уменьшив зазор я улучшил результат в несколько раз, т.е. уменьшил рассеяние с 42мкГн до 10мкГн. Правда еще пришлось число витков в первичке уменьшить, в следствие чего возросла индукция и потери в сердечнике. Если мой транс при минимальном входном напр. (85VAC) и макасимальном выходном токе будет иметь температуру 90С это ведь наверное не очень страшно?

Кстати, господа!

Все-таки допустимо ли ложить первичку в полтора слоя или нет??

Чисто теоретические понятно, что если слой (или несколько слоев) заполнен(ы) полностью, то рассеняие будет минимальным. А на практике?
Вот у меня желаемое число витков как раз полтора слоя занимает...

Сообщение отредактировал NewMaestro - May 10 2007, 15:37