Нужна красивая схема, управления вых. каскадом на полевиках Опции

[zzzzzzzz]

Понадобилось разработать гибридную ИС операционника с мощными полевиками на выходе. Комплиментарная пара. Ток до 15А.
Решений много всяких. Помню где-то видел очень красивую и простую схему, обслуживающую такой выходной каскад.
Но найти сейчас не удалось. Все какой-то примитив и классика попадается. А хочется "произведения искусства" :-)
Может, кто-нибудь подкинет такую изящную схему, которая бы обеспечивала:
- температурную стабильность тока покоя вых. каскада на уровне 50мА (независимо от меняющихся пороговых напряжений выходных транзисторов);
- защиту по току (допустимо ставить "токовых шпионов" в каскаде порядка 0.1 Ом и менее)
- высокую скорость нарастания-спада;
- малые искажения;
- питание от +-15В до +-50В.
На входе будет использоваться хороший шустрый ОУ с полевиками с р-п переходами (разрабатывается также к этой ГИС, но это отдельная тема).

По сути, несмотря на большую требуемую граничную частоту (примерно 20 МГц), вопрос скорее к строителям УНЧ.

[zzzzzzzz]

Я, конечно, призадумаюсь над таким хитрым решением. Но с первого взгляда оно "некрасивое" какое-то. Взять кристалл покупного транзистора и вытравить часть истоков (стоков не получится - они уходят в "тело" кристалла).... А как к ним потом привариться?

Подумал. Неприемлимо для серийного производства. Проще тогда уж собственный транзистор выпускать. А "старшего" поколения транзистор - это целая песня...

[SIA]

Я, конечно, призадумаюсь над таким хитрым решением. Но с первого взгляда оно "некрасивое" какое-то. Взять кристалл покупного транзистора и вытравить часть истоков (стоков не получится - они уходят в "тело" кристалла).... А как к ним потом привариться?

Подумал. Неприемлимо для серийного производства. Проще тогда уж собственный транзистор выпускать. А "старшего" поколения транзистор - это целая песня...

Конечно, речь идет не о кустарной переделке готового кристалла, а о заказе его модификации - все то же самое, только топологию металла истока поменять (он обычно самый верхний) и открыть еще одно окно под вывод. IR таких транзисторов много делала даже дискретных (HexSense).

Сообщение отредактировал SIA - Aug 4 2007, 22:02

[zzzzzzzz]

Конечно, речь идет не о кустарной переделке готового кристалла, а о заказе его модификации - все то же самое, только топологию металла истока поменять (он обычно самый верхний) и открыть еще одно окно под вывод. IR таких транзисторов много делала даже дискретных (HexSense).

Ну что ж, спасибо за подкинутую мысль. Надо ее "перетереть" с начальством. В принципе, если удастся заказать такие транзисторы р и п каналов, то это выход. Схема получится не особенно сложная.
Я сейчас "кручу", однако, другое решение - дифкаскад на полевиках с рп-переходом - им не нужна вольтодобавка будет. Надо основательно по-Spice-ировать эту мысль...