XC3S500E и MT46V32M16-(DDR400)-FG320, Питание микросхем Опции

[Panych]

Вопрос в следующем:
Micron требует для DDR400 питания 2.6В (+/-0.1), к Xilinx подключена так же переферия на +3.3В.
Итого получил:
2 банка запитаны VCCO=+3.3В
и 2 банка запитаны VCCO=+2.6В и VREF=1.3В
VCCAUX = 2.5В
VCCINT = 1.2В

При практически полной занятости выводов у меня не получается разложить питания в 6-ти слоях, но идти на 8 слоев из-за нескольких цепей тоже не слишком хочется.
Да и напряжения +2.6В/+2.5В и +1.2В/1.3В очень близки.

Нельзя ли сократить количество питаний? Есть у кого-либо подобный опыт?

Или ссылки на какие-либо рекомендации для подобных случаев.

Заранее спасибо!

[I.S.A.]

Вообще-то память DDR использует питание +2.5В, а +2.6В нужно лишь для DDR-400МГц. Если тебе надо работать с памятью на частоте 200МГц, что весьма не просто, то можно задуматься, а если нет - то можно сммело ставить +2.5В и частоту 166МГц. Или поискать чипы с питанием +2.5В и градацией 400.

Тактовая обязательно должна быть 200МГц? Ведь прирост по частоте у памяти DDR дает очень слабый прирост по производительности, т.к. у них у всех задержки измеряются в нсек., а не в периодах тактовой частоты. Тем более если ты не собираешься использовать пакетный режим записи и чтения, а использовать случайный доступ.