реклама на сайте
подробности

 
 
> измерение S-параметров микросхемы
serega_sh
сообщение Aug 17 2007, 05:24
Сообщение #1





Группа: Новичок
Сообщений: 7
Регистрация: 13-05-07
Пользователь №: 27 701



Как измерить S-параметры устройства (усилителя или диода) пусть даже на 1 частоте.
1. Если я измеряю S11 то на 2 порте Z=50? как это сделать? ведь до выхода стоит цепь согласования, которая приводит к 50Омам.
2. Как измерить S12 ?
Как буржуины это делают? Подскажите может литературу.

Мое предположение: собирают устройство (напр: LNA), настраивают его, измеряют что нужно. Далее выковыривают микросхему и измеряют параметры цепи согласования. Но как потом нормируют и приводят это измерение к 50 Омам? Если так и делают 07.gif

Из измерительных устройств есть всё smile.gif (даже векторный анализатор)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
VitaliyZ
сообщение Aug 17 2007, 15:15
Сообщение #2


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 382
Регистрация: 2-05-06
Из: мiсто Харкiв
Пользователь №: 16 681



Цитата(serega_sh @ Aug 17 2007, 09:24) *
Из измерительных устройств есть всё smile.gif (даже векторный анализатор)


Это всё что вам нужно.
Если реч идет о микросхеме, ставите ее на плату с 50Ом ными ЛП и коннекторами, потом измерив общие параметры сдвигаете фазовую проскость куда вам нужно (deembedding). Можно обойтись и без платы, тогда нужны спец пробники, которыми можно мерять прямо на ногах у ИМС.
Если девайс с согласующими устройствами, меряете все по отдельности (как вы это описывали), потом опять пересчитываете общие параметры минус влияние согл. цепей.

Вот так мы "буржуины" и делаем wink.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
2 чел. читают эту тему (гостей: 2, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 22nd July 2025 - 12:29
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01357 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016