измерение S-параметров микросхемы Опции

[serega_sh]

Как измерить S-параметры устройства (усилителя или диода) пусть даже на 1 частоте.
1. Если я измеряю S11 то на 2 порте Z=50? как это сделать? ведь до выхода стоит цепь согласования, которая приводит к 50Омам.
2. Как измерить S12 ?
Как буржуины это делают? Подскажите может литературу.

Мое предположение: собирают устройство (напр: LNA), настраивают его, измеряют что нужно. Далее выковыривают микросхему и измеряют параметры цепи согласования. Но как потом нормируют и приводят это измерение к 50 Омам? Если так и делают

Из измерительных устройств есть всё (даже векторный анализатор)

[serega_sh__]

стоит задача: при поставке ПКИ, эти ли ПКИ нам поставляют? (недавно были случаи: 1 партия была перемаркирована китайцами, 2. пратия была бракованая (иногда даже корпус отклеивался у микросхем, а также смесителей).
измерить параметры ПКИ.

Vitaliy Z.:
как мне помнится, для грамотного измерения параметров микросхемы нужно задавать параметры источника и нагрузки рабочие, согласованные (если входное сопротивление микросхемы 0.5+0.1J то соединяя её с 50Омами получим "скачек" сопротивлений и никакого согласования ... и что тогда измерим?).
а делать отдельную плату - накладно. хотелось бы обойтись попроще.

Yuri Potapoff:
жаль, что я живу не в москве, но может выпрошусь в командировку.
Спасибо за ссылку. Изучу.
Но эта станция хороша для завода изготовителя который из партии в МЛН.шт. отбирает по отклонениям бракованные. Он делает соответствие м/у годными и бракованными, не измеряя реальные парамтры (P1db, GA, S11, S12 и тд).