измерение S-параметров микросхемы Опции

[serega_sh]

Как измерить S-параметры устройства (усилителя или диода) пусть даже на 1 частоте.
1. Если я измеряю S11 то на 2 порте Z=50? как это сделать? ведь до выхода стоит цепь согласования, которая приводит к 50Омам.
2. Как измерить S12 ?
Как буржуины это делают? Подскажите может литературу.

Мое предположение: собирают устройство (напр: LNA), настраивают его, измеряют что нужно. Далее выковыривают микросхему и измеряют параметры цепи согласования. Но как потом нормируют и приводят это измерение к 50 Омам? Если так и делают

Из измерительных устройств есть всё (даже векторный анализатор)

[serega_sh]

EVS:
S-parameter testset ф.АналогДевайс делаются только для корпусов SMD и выводных ПАССИВНЫХ элементов!!!! На них можно только кондеры да фильтры проверять (частоты более 300МГц). По поводу корректности я ненашел данные у них об измерении параметров активных компонентов. Подскажите. Может я не туда смотрю.

Ваш пример с 50 Омным SDPT, неочень показателен. Как например измерить параметры транзистора MRFG35010 frescale на частоте 3500 МГц?