s-params транзистора BLT50, помогите найти Опции

[junoSynthesizer]

собственно, в деле проектирования устройств на радиочастотах - я новичок. постепенно разбираюсь со всем, изучаю микровэйв оффис. пользуюсь версией 6.51.

хочу разработать усилитель на 433.92 на основе BLT50. но столкнулся с тем, что не могу найти для него файл S-параметров для моделирования в микровэйве.

помогите кто-то с данным вопросом...

[junoSynthesizer]

дело в том, что прочитав соседнюю тему, я решил что надо согласовывать именно и входной и выходной импедансы сразу в одной модели, поскольку может получиться отклонение от отдельных расчётов.
но раз такая ситуация... вот порылся в микроваве и нашёл элемент - 2 Port S-parameter Block
может быть его использовать? но тогда я пока не могу придумать как пересчитать из импедансов S11, S21, S22, S12... пойду почитаю, может чего умного вычитаю на эту тему.

и ещё вопросы... немного не в название темы... но всё же про тот же замечательный БЛТ50 =)
вопросы безусловно для гуру будут глупые, но я только разбираюсь и поэтому прошу ногами не бить =)

в даташите видно, что питание в коллектор и базу инжектируется в середину микрополосковой линии. почему именно так? почему нельзя питание подводить непосредственно в коллектору и базе?

[EVS]

но раз такая ситуация... вот порылся в микроваве и нашёл элемент - 2 Port S-parameter Block
может быть его использовать? но тогда я пока не могу придумать как пересчитать из импедансов S11, S21, S22, S12... пойду почитаю, может чего умного вычитаю на эту тему.

Нет, это не то. Вам нужна заземленная комплексная нагрузка с ОДНИМ выводом. Ищите, такая там точно есть, я сам МВО давно не пользуюсь, в поиске не помогу. Менее изящно поставить последовательно RL цепь, R - акт. часть из графика, L - придется пересчитать на нужной частоте или просто подогнать в том же МВО.

в даташите видно, что питание в коллектор и базу инжектируется в середину микрополосковой линии. почему именно так? почему нельзя питание подводить непосредственно в коллектору и базе?

В данном случае это определяется исключительно удобством трассировки платы.

Если действительно интересно, можно почитать неплохие аппноуты того же NXP:
RF transmitting transistor and power amplifier fundamentals одна часть
RF transmitting transistor and power amplifier fundamentals другая часть