собственно, в деле проектирования устройств на радиочастотах - я новичок. постепенно разбираюсь со всем, изучаю микровэйв оффис. пользуюсь версией 6.51.

хочу разработать усилитель на 433.92 на основе BLT50. но столкнулся с тем, что не могу найти для него файл S-параметров для моделирования в микровэйве.

помогите кто-то с данным вопросом...

В pdf приведены графики входного и выходного импедансов транзистора в режиме большого сигнала, это все, что надо для согласования. В MWO есть элемент (вроде?) - комплексное сопротивление вида R+jX. Туда и подставляются значения из графиков. Для начала стоит попробовать проверить тестовую схему на 470. Отдельно схему входа и отдельно схему выхода, в данном случае они независимы. Аккуратно моделируете тестовую плату, проверяете, что все правильно и у Вас и у NXP, затем, если все ОК, делаете то же, но уже на нужной частоте. Вот, собственно, и все...

дело в том, что прочитав соседнюю тему, я решил что надо согласовывать именно и входной и выходной импедансы сразу в одной модели, поскольку может получиться отклонение от отдельных расчётов.
но раз такая ситуация... вот порылся в микроваве и нашёл элемент - 2 Port S-parameter Block
может быть его использовать? но тогда я пока не могу придумать как пересчитать из импедансов S11, S21, S22, S12... пойду почитаю, может чего умного вычитаю на эту тему.

и ещё вопросы... немного не в название темы... но всё же про тот же замечательный БЛТ50 =)
вопросы безусловно для гуру будут глупые, но я только разбираюсь и поэтому прошу ногами не бить =)

в даташите видно, что питание в коллектор и базу инжектируется в середину микрополосковой линии. почему именно так? почему нельзя питание подводить непосредственно в коллектору и базе?

Нет, это не то. Вам нужна заземленная комплексная нагрузка с ОДНИМ выводом. Ищите, такая там точно есть, я сам МВО давно не пользуюсь, в поиске не помогу. Менее изящно поставить последовательно RL цепь, R - акт. часть из графика, L - придется пересчитать на нужной частоте или просто подогнать в том же МВО.


В данном случае это определяется исключительно удобством трассировки платы.

Если действительно интересно, можно почитать неплохие аппноуты того же NXP:
RF transmitting transistor and power amplifier fundamentals одна часть
RF transmitting transistor and power amplifier fundamentals другая часть

спасибо за советы предыдущие, надеюсь что посоветуете мне ещё чего-нибудь =)

итак, сделал вроде так, как вы советовали...
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
получились такие вот ксв
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

как настроечные параметры использовал кондера, чтобы легче было сделать плату.

вопросы:
- есть ли принципиальные ошибки?
- что означает параметр подложки Metal bulk resistivity normalized to gold и чему он равен, к примеру, для материала FR4?
- если всё правильно, то для изготовления усилителя теперь требуется развести плату с заданными элементами, инжектирвоать питание в центр полосковых линий согласно даташиту, заранее подогнать кондера, всё впаять. подключить ксв-метр и произвести окончательную подгонку параметров. верно?

Есть. R и X по входу перепутаны.


Относительное удельное сопротивление проводящего слоя по сравнению с золотом.
Смотреть в справочнике. Для меди на любой подложке будет около 0.8. Хотя в данном случае учитывать его смысла нет.



"для изготовления усилителя теперь требуется":
- отложить все, что Вы посчитали, в сторону;
- полностью скопировать плату из шита, включая все детали, пересчитав только ширину 50омной линии с Er=2.2 на FR4 нужной толщины. Длину можно оставить такой же;
- спаять эту плату с элементами из шита;
- КСВ-метр не нужен. По входу - ГСС, по выходу - измеритель мощности в качестве нагрузки (например, М3-54 с нужной головкой) плюс через напр. ответвитель подать часть выхода на анализатор спектра (для проверки устойчивости), по питанию - амперметр. Питание подавать медленно, начиная Вольт с четырех. Сначала настроить на 470, добиваясь макс. мощности и макс. КПД (порядка 50%), в процессе смотреть усиление. Потом плавно перейти на 433, добиваясь того же. Удачи!

ЗЫ. Ваша модель в МВО, во первых, далеко не соответствует шиту, во-вторых, совсем не учитывает паразитных параметров элементов.

Это сопротивление проводников, нормированное к сопротивлению золотой пленки, что бы посмотреть как влияют потери можно поставить 0.5-0.8. Но при проектировании усилителя, по моему, это не столь важно.

Добавка, или поправка (кому как) к мессаджу EVS.

ИМХО надо взять схему из дашита, только пересчитать микрополосковые линии не только на материал FR4, но и на частоту 433 МГц, при условии неизменности "электрической длины".

Принимается
Только оптимальные градусы для 470 не будут оными для 433, а, в конечном итоге, автору нужна именно она.

эээ
что-то я совсем запутался и получилась сплошная каша в голове, хотя до этого вроде всё было понятно =)

помогите теперь разобраться... (может тему переименовать в что-то подходящее и перенести в раздел для новичков? =)

у микрополоска есть расчётные параметры (волновое сопротивление и электрическая длина) с одной стороны, и физические размеры (ширина и длина. толщину не упомянул, ибо константа).

теперь. есть транзистор с входным и выходным сопротивлением.

рассмотрим входное. пусть оно будет X+jY, где Х меньше 50

я думал, что микрополоски необходимы для того, чтобы, грубо говоря, "наростить" входное сопротивление до 50 ом. получаем вход -> согласующие цепи -> транзистор, где согласующие цепи - это микрополосок и конденсаторы на землю и последовательно. из них микрополосок может иметь такое волновое сопротивление Rw, что X+Rw ~ 50, а конденсатором "на землю" мы доводим его до 50, таким образом проведя согласование (ну и убрав последовательным кондёром реактивную составляющую). я прав? скорее всего нет, наверное микрополосок должен иметь строго определённую электрическую длину или волновое сопротивление? он должен быть обязательно 50-омным? ещё вроде он не должен быть четвертьволновым, ибо будет антенна... разъясните плиз этот момент, или подскажите литературу, где это подробно описано. а то понакачал апноутов и немного запутался в них...

ещё момент, который я забыл уточнить в первом посте: усилитель я делаю для себя, это не для каких-то глобальных целей. раньше я ставил RA07M4047 и просто лил в него то, что есть от модулятора, без всяких согласований. получается дорого и совсем неэффективно (хотя работает почти на километр =). поэтому и хочу сделать усилочек на 1-1.5 ватта на транзисторах. из этого следует, что у меня нет тех приборов, которые EVS описал пару постов выше. есть только доступ к спектроанализатору Motorolla, собственно с помощью которого я собираюсь таким образом настраивать:
- повпаивать расчётные номиналы и антенну (четверть волны)
- замерять уровень сигнала на спектрометре и крутить подстроечные элементы. т.е. почти на глаз =)

junoSynthesizer
Вы немножко неправильно мыслите. Вы не транзистор согласовываете с нагрузкой, а нагрузку с транзистором, а затем входное сопротивление транзистора с выходным сопротивлением источника. Т.е двигаться надо "справа-налево". Еще, т.е. у вас есть нагрузка с комплексным сопротивлением Z1, вы должны трансформировать Z1 в выходное сопротивление транзистора Z2, затем входное сопротивление вы должны трансформировать к сопротивлению источника Zi.
А путаться не надо, просто EVS предложил Вам не париться, а изготовить усилитель по схеме дашита только перестроить его согласующие цепи на другую частоту. А настраивать можно и по спектрометру, но лучше без антенны, а через аттенюатор.

EVS
Насчет "градусов" - согласен.
Я забыл, что комплексное сопротивление нагрузки на правом конце линии измениться при смене частоты.
Вот только мне кажется, что после переращета надо будит поискать точку подключения запитки на коллектор. Или неправильно кажется?

Не стоит все усложнять. Попробуйте в своей схеме согласования по входу заменить отрезок линии на обычную сосредоточенную индуктивность около единиц nH и подгоните ее тюнингом - результат должен остаться прежним. Точно так же этот элемент можно выполнить и на катушке и на линнии другого волнового сопротивления - это не важно. Важна вносимая им последовательная реактивность.
Согласование любого импеданса с 50 Омами на одной частоте теоретически можно осуществить всего лишь двумя реактивностями. Только часто при этом и значения этих реактивностей получается нереализуемым/неудобным да и полоса согласования получается слишком узкая. Тем более при согласовании с достаточно низкоомными мощными транзисторами.
Кстати... Похоже, значения X для выхода транзистора, должно быть с минусом, как следует из направления стрелок на фиг.10.
А настроить, в принципе, можно и спектроанализатором, но, все же, надеюсь, генератор у Вас есть...

прочитал апноут AN548A от мотороллы, вроде всё снова встало на свои места =)
генератора у меня нет... в качестве источника сигнала буду использовать модуль, выдающий 6.5 мВт на частоте 433.92 =)

а вот по поводу отрицательной реактивной составляющей на выходе... это получается, что "минус" означает стрелка идущая от коллектора? просто поскачивал ещё пару даташитов и такой стрелки не обнаружил...

Мало. 6.5mW ну никак не раскачает усилитель с усилением 12dB до 1W.


По-видимому, да. То есть, это нагрузка, _НА_ которую нужно грузить выход. Хотя сомнения остались..

так а я и не говорил что будет только один транзистор... их будет 2 =) и я же не скал что мне надо чётко определённая мощность... сколько получится - столько и получится. это явно будет больше чем даёт RA07 в том виде, в каком я его сейчас использую, и в несколько раз дешевле =)


ну и главный вопрос к знатокам, чтобы развеять сомнения:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

стрелка к базе означает положительную реактивную составляющую входного импеданса, а выходящая из коллектора - отрицательную выходного?

По картинке это означает, что если я сижу в транзисторе и смотрю из него на согласующую цепь по выходу (коллектору), то я вижу то, что нарисовано на графике, т.е. +X и +Y. Странно только то, что по входу NXP дал импеданс не со стороны транзистора, а со стороны согл. цепи. Хотя, м.б. странно только для меня


Надеюсь, первый не в режиме B.

ну, я подумывал об этом =)