реклама на сайте
подробности

 
 
> измерение S-параметров микросхемы
serega_sh
сообщение Aug 17 2007, 05:24
Сообщение #1





Группа: Новичок
Сообщений: 7
Регистрация: 13-05-07
Пользователь №: 27 701



Как измерить S-параметры устройства (усилителя или диода) пусть даже на 1 частоте.
1. Если я измеряю S11 то на 2 порте Z=50? как это сделать? ведь до выхода стоит цепь согласования, которая приводит к 50Омам.
2. Как измерить S12 ?
Как буржуины это делают? Подскажите может литературу.

Мое предположение: собирают устройство (напр: LNA), настраивают его, измеряют что нужно. Далее выковыривают микросхему и измеряют параметры цепи согласования. Но как потом нормируют и приводят это измерение к 50 Омам? Если так и делают 07.gif

Из измерительных устройств есть всё smile.gif (даже векторный анализатор)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
serega_sh__
сообщение Aug 19 2007, 10:50
Сообщение #2





Группа: Новичок
Сообщений: 1
Регистрация: 19-08-07
Пользователь №: 29 892



стоит задача: при поставке ПКИ, эти ли ПКИ нам поставляют? (недавно были случаи: 1 партия была перемаркирована китайцами, 2. пратия была бракованая (иногда даже корпус отклеивался у микросхем, а также смесителей).
измерить параметры ПКИ.

Vitaliy Z.:
как мне помнится, для грамотного измерения параметров микросхемы нужно задавать параметры источника и нагрузки рабочие, согласованные (если входное сопротивление микросхемы 0.5+0.1J то соединяя её с 50Омами получим "скачек" сопротивлений и никакого согласования ... и что тогда измерим?).
а делать отдельную плату - накладно. хотелось бы обойтись попроще.

Yuri Potapoff:
жаль, что я живу не в москве, но может выпрошусь в командировку.
Спасибо за ссылку. Изучу.
Но эта станция хороша для завода изготовителя который из партии в МЛН.шт. отбирает по отклонениям бракованные. Он делает соответствие м/у годными и бракованными, не измеряя реальные парамтры (P1db, GA, S11, S12 и тд).
Go to the top of the page
 
+Quote Post
VitaliyZ
сообщение Aug 20 2007, 14:35
Сообщение #3


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 382
Регистрация: 2-05-06
Из: мiсто Харкiв
Пользователь №: 16 681



Цитата(serega_sh__ @ Aug 19 2007, 14:50) *
как мне помнится, для грамотного измерения параметров микросхемы нужно задавать параметры источника и нагрузки рабочие, согласованные

Это не совсем так. Параметры "источника и нагрузки" просто должны быть известны с достаточной точностью. Для удобства сопротивления нагрузки и источника выбрали 50 Ом, потому как принят стандарт 50Омной техники. Могло быть и 100Ом. Не имеет значения!
Может понятнее будет так:
В данном случае микросхеме образно говоря все равно, подключите вы источник с сопротивлением 50Ом или 0.5-0.1J Ом. Ее сопротивление (которое вам и нужно измерить) все равно будет 0.5+0.1J.
Аналогично и с коэффициентом передачи.


Цитата(serega_sh__ @ Aug 19 2007, 14:50) *
а делать отдельную плату - накладно. хотелось бы обойтись попроще.

Плату можно не делать. Если вы знаете параметры согласующих устройств (а измерить их можно примерно так как вы описывали ранее), параметры микросхемы можно просто рассчитать(последовательное соединение 4х полюсников).
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
2 чел. читают эту тему (гостей: 2, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 21st July 2025 - 23:15
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.02502 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016