измерение S-параметров микросхемы Опции

[serega_sh]

Как измерить S-параметры устройства (усилителя или диода) пусть даже на 1 частоте.
1. Если я измеряю S11 то на 2 порте Z=50? как это сделать? ведь до выхода стоит цепь согласования, которая приводит к 50Омам.
2. Как измерить S12 ?
Как буржуины это делают? Подскажите может литературу.

Мое предположение: собирают устройство (напр: LNA), настраивают его, измеряют что нужно. Далее выковыривают микросхему и измеряют параметры цепи согласования. Но как потом нормируют и приводят это измерение к 50 Омам? Если так и делают

Из измерительных устройств есть всё (даже векторный анализатор)

[GAin]

Щас вы друг друга запутаете, а я в этом деле даже не поучаствую
Мое мнение:
Есть девайс у которого надоть померять S-параметры отсюда и начнем:
1. В мире приняли стандартизованное сопротивление источников и нагрузок равным 50 Ом, поэтому источник и нагрузка должны быть 50 Ом-ными.
2. К девайсу - никаких согласований, ведь если согласуем его - то как раз в этом случае ничего интересного и не увидим.
3. Девайсу нужен только режим по постоянному току (например, при котором нормируются С-параметры в тех. док.)

S12 можно определить при обработке измерения с подачей входного возмущения со стороны выхода четырехполюсника (как, впрочем и S22).

На достаточно простом уровне случай измерения S-параметров рассмотрен в книжице William F. Egan "Practical RF system design"

ЗЫ. Если конечно хочется позаниматься реинжинирингом, то, действительно, сначала можно собрать какой-нибудь устройств на нужном элементе, сначала померять S-параметры этого устройства ну т.д. как было описано выше в постах. Думаю ненужный труд это, а непонятного будет еще больше.