Силовые слои в МПП, поведение сигнала и обратный ток Опции

[Rex]

Ситуация следующая. Плата 6 слоев: 2 сигнальных и 4 силовых. Земель и питаний - много.
Если заземлить проводник на нижний внутренний слой земли (3 В), что будет происходить на верхнем внутреннем слое земли (5 В), который, получается будет, "зажат" между внешним сигнальным и внутр.нижним земляным слоями?
Будет ли емкость и индуктивность будет плясать от 5 В-го слоя или 3 В-го ?
Будет ли обратный ток проникать на 5-ый слой?

[Rex]

avesat

Чем вы руководствовались, выбирая именно такое расположение слоев? Почему между дифф парой и плейном у вас проходит еще один "силовой" слой? Как этот слой соединен с сигнальной землей (конденсатор, нуль резистор) ?

Дело в том, что эта ситуация - гипотетическая. Разумеется, я так не делал.
Krys
RandI сказал все верно. Просто заинтересовало поведение сигнала микрополосковой дифф.пары при наличие силового слоя (0-ой потенциал, назовем Chassis ) между сигнальным и земляным слоями.
Как я понял, вы считаете, что опорным слоем для сигнала будет именно Chassis, а не родной ground?
И обсулавливается это наличием связи по переменному току между поверхностями ground и chassis, даже в случае невысоких частот (несколько МГц)?
RandI

Если бы между линией и землей обратной связи был бы полигон питания, то тут понятно,

Немогли бы вы пояснить подробнее?

[Krys]

Krys
RandI сказал все верно. Просто заинтересовало поведение сигнала микрополосковой дифф.пары при наличие силового слоя (0-ой потенциал, назовем Chassis ) между сигнальным и земляным слоями.
Как я понял, вы считаете, что опорным слоем для сигнала будет именно Chassis, а не родной ground?
И обсулавливается это наличием связи по переменному току между поверхностями ground и chassis

Именно так.

даже в случае невысоких частот (несколько МГц)?

А в случае таких невысоких частот о соблюдении волнового сопротивления беспокоиться, думаю, не стОит. Плата будет иметь сосредоточенные параметры, т.к. длина волны ооооочень большая по сравнению с размерами платы.