Я так понимаю речь идет о создании моделей для элементов ИС (транзисторов, диодов и т.д.). Тогда маршрут примерно следующий: 1.проектирование (моделирование) техпроцесса (TCAD) 2.приборное моделирование (TCAD): получаем ВАХ, сравниваем с требуемыми, если не проходит, возвращаемся в 1. 3.разработка топологии тестового кристалла с элементами ИС (Virtuoso, L-Edit etc.) 4.Изготовление фотошаблонов 5.Изготовление тестового кристалла 6.Измерение набора тестовых характеристик полученных элементов. Какие характеристики измерять определяется элементами и требованием к моделям (например, тип модели МОП-транзистора) 7.Экстракция параметров моделей по измеренным характеристикам элементов (IC-CAP, Utmost, другие оптимизаторы) 8. Полученные модели далее используются разработчиками чипов. При этом обычно получают не одну модель для каждого элемента, а минимум 3 (типичная, худшее быстродействие, худшее потребление) с разных партий. Это для того, чтобы разработчик знал ворота, в которых могут изменяться характеристики элементов от партии к партии и при проектировании мог бы учесть этот разброс.
|