MWO. Как создать слой в EM-structure содержащий различные диэлектрики?, Нужен совет!!! Опции

[merl]

Не могу разобраться как задать в одном диэлектрическом слое (MWO), несколько диэлектриков. Т.е. есть слой диэлектрика на нём расположена микрополосковая линия. Скажем длина всей структуры 10 мм, как сделать что бы первые 5 мм был диэлектрик с одной диэлектрической проницаемостью, а следующеи 5мм с другой диэлектрической проницаемостью. Возможно ли это вообще? Или может быть есть другой способ разобраться с этой задачей?

Буду признателен за любую мысль по этому поводу.

[Ulysses]

Не могу разобраться как задать в одном диэлектрическом слое (MWO), несколько диэлектриков. Т.е. есть слой диэлектрика на нём расположена микрополосковая линия. Скажем длина всей структуры 10 мм, как сделать что бы первые 5 мм был диэлектрик с одной диэлектрической проницаемостью, а следующеи 5мм с другой диэлектрической проницаемостью. Возможно ли это вообще? Или может быть есть другой способ разобраться с этой задачей?

Буду признателен за любую мысль по этому поводу.

MWO для этого приспособить сложно.
Для решения этой проблемы лучше приспособлен Sonnet EM Suite. Это даже одна из фишек этой программы. Сами разработчики пишут, что MWO не может учитывать наличие диэлектрических вставок в слое, а их программа позволяет.

[vIgort]

MWO для этого приспособить сложно.
Для решения этой проблемы лучше приспособлен Sonnet EM Suite. Это даже одна из фишек этой программы. Сами разработчики пишут, что MWO не может учитывать наличие диэлектрических вставок в слое, а их программа позволяет.

Если не секрет, то как тогда создать в Sonnet-e? И что тогда в MWO EM-Structure - Sonnet 3D Planar Electromagnetic Simulator?

[EVS]

Если не секрет, то как тогда создать в Sonnet-e?

Использовать dielectric brick для нужной части подложки.
Но, лучше, использовать на MoM, а полный 3D софт (HFSS, CST).

[vIgort]

Использовать dielectric brick для нужной части подложки.
Но, лучше, использовать на MoM, а полный 3D софт (HFSS, CST).

Тогда вопрос немножко не по теме когда моделируешь многослойную (полосковую) структуру из разных слоев диэлектриков, как правильно в HFSS задавать порты? Будут ли условия (например, как в манулае для HFSS 9.1) для симметричной полосковой линии (ширина 7w,высота 4h для w<h, где w и h ширина полоска и толщина диэлектрика соответственно? И как в таком случае будет влиять металлизация?