Не могу разобраться как задать в одном диэлектрическом слое (MWO), несколько диэлектриков. Т.е. есть слой диэлектрика на нём расположена микрополосковая линия. Скажем длина всей структуры 10 мм, как сделать что бы первые 5 мм был диэлектрик с одной диэлектрической проницаемостью, а следующеи 5мм с другой диэлектрической проницаемостью. Возможно ли это вообще? Или может быть есть другой способ разобраться с этой задачей?

Буду признателен за любую мысль по этому поводу.

нельзя

А если собрать эту конструкцию из двух половинок? Первую EM structure с одним диэлектриком, вторую с другим, и включить их последовательно.

В принципе можно, но, если, Вам нужны навесные элементы, то тут уж никак! Здесь необходим полный 3D моделятор.

всем спасибо! попробую, напишу, что получилось.

А если через VIA (создаешь в EM-structure полигон с нужной диэлектрической проницаемостью и в его задаешь его как VIA)?

MWO для этого приспособить сложно.
Для решения этой проблемы лучше приспособлен Sonnet EM Suite. Это даже одна из фишек этой программы. Сами разработчики пишут, что MWO не может учитывать наличие диэлектрических вставок в слое, а их программа позволяет.

Если не секрет, то как тогда создать в Sonnet-e? И что тогда в MWO EM-Structure - Sonnet 3D Planar Electromagnetic Simulator?

Использовать dielectric brick для нужной части подложки.
Но, лучше, использовать на MoM, а полный 3D софт (HFSS, CST).

Тогда вопрос немножко не по теме когда моделируешь многослойную (полосковую) структуру из разных слоев диэлектриков, как правильно в HFSS задавать порты? Будут ли условия (например, как в манулае для HFSS 9.1) для симметричной полосковой линии (ширина 7w,высота 4h для w<h, где w и h ширина полоска и толщина диэлектрика соответственно? И как в таком случае будет влиять металлизация?

[quote name='vIgort' date='Dec 19 2007, 10:58' post='340244']
А если через VIA (создаешь в EM-structure полигон с нужной диэлектрической проницаемостью и в его задаешь его как VIA)?
[/quote]
Via моделируются как Perfect conductor, хотя, по крайней мере, в MWO 2002 можно было задать другой материал, сути это не меняло - они всё равно моделировались как Perfect conductor.
[/quote]
И что тогда в MWO EM-Structure - Sonnet 3D Planar Electromagnetic Simulator?
[quote]
Используется электромагнитный симулятор Sonnet 3D.
[/quote]
Тогда вопрос немножко не по теме когда моделируешь многослойную (полосковую) структуру из разных слоев диэлектриков, как правильно в HFSS задавать порты? Будут ли условия (например, как в манулае для HFSS 9.1) для симметричной полосковой линии (ширина 7w,высота 4h для w<h, где w и h ширина полоска и толщина диэлектрика соответственно? И как в таком случае будет влиять металлизация?
[quote]
ИМХО, лучше экспериментально подобрать размеры порта на модели отрезка регулярной линии.

Небольшая поправочка. В последней версии MWO перемычки можно моделировать реальным проводником. Но диэлектриком всё равно нельзя.

Жаль... Будем тогда осваивать Sonnet :-)
И еще вопрос по MWO - очень часто выскакивает ошибка: An error occurred in the remote em "Awr CircuitExtract" (no message)
Неопознанная ошибка.
Причем примеры AWR рассчитываются, а вот свои проекты нет, (уже и пример повторял - результат тот же).
В чем может быть проблема?

При выборе симулятора Вы, скорее всего, оставили по умолчанию стоящий AWR ACE Automatic Circuit Exstractor. Выберите EMSight.

Спасибо. Все заработало.

Всем проявившем участие спасибо, узнал много полезного, теперь знаю, что делать дальше.