Как смоделировать усилитель, не имея s-параметров транзистора? Опции

[Alexey_B]

Есть такая вот задача. Собрать усилительный каскад на 2Т979А. Обычно моделирую согласующие цепи в MWO по s-параметрам. Но, к сожалению, в данном случае s-параметры взять неоткуда. Зато в справочнике есть эквивалентная схема транзистора. Если исправить некоторые недочёты типа закороченного сопротивления коллектора и (кажется) небольшой опечатки в выражении для источника тока, то схема вроде бы похожа на правду
Но можно ли как-нибудь попроще преобразовать её в двухполюсник, чтобы получить его s-параметры? Или, может быть, есть какой-то другой подход?
Вопрос, может быть, чайниковский, но...

Сообщение отредактировал Alexey_B - Jan 22 2008, 22:30

Эскизы прикрепленных изображений

 

[grandrei]

Согласен, этот транзистор, да еще и с общей базой, не очень хороший выбор, мягко говоря. Если бы он был без внутренних цепей согласования, то тогда можно было бы легко оценить входное сопротивление по сопротивлению базы, а коллекторную емкость считать выходной емкости транзистора. Но здесь и на входе и на выходе имеется двыхкаскадное согласование. Емкость С3 выглядит большой, но поскольку транзистор рассчитан на работу в полосе 0.7-1.4 ГГц при напряжении 28 В в непрерывном режиме и 35-40 В в импульсном режиме на явно на большую мощность, то наверное так и должно быть. В принципе зарубежные LDMOS транзисторы сейчас могут обеспечить большие мощности до 2 ГГц. Но если другого выхода нет, то тогда хотя бы надо знать на какую номинальную мощность он рассчитан (отсюда эквивалентное выходное сопротивление, реактивность тогда скомпенсирована), а вход считать настроенным на примерно 1 Ом или что-то вроде этого и тоже считать скомпенсированной внутреннюю реактивность. Тогда в качестве входной и выходной реактивностей надо учитывать только индуктивности выводов L3 и L7.