Как смоделировать усилитель, не имея s-параметров транзистора? Опции

[Alexey_B]

Есть такая вот задача. Собрать усилительный каскад на 2Т979А. Обычно моделирую согласующие цепи в MWO по s-параметрам. Но, к сожалению, в данном случае s-параметры взять неоткуда. Зато в справочнике есть эквивалентная схема транзистора. Если исправить некоторые недочёты типа закороченного сопротивления коллектора и (кажется) небольшой опечатки в выражении для источника тока, то схема вроде бы похожа на правду
Но можно ли как-нибудь попроще преобразовать её в двухполюсник, чтобы получить его s-параметры? Или, может быть, есть какой-то другой подход?
Вопрос, может быть, чайниковский, но...

Сообщение отредактировал Alexey_B - Jan 22 2008, 22:30

Эскизы прикрепленных изображений

 

[grandrei]

Согласен, этот транзистор, да еще и с общей базой, не очень хороший выбор, мягко говоря. Если бы он был без внутренних цепей согласования, то тогда можно было бы легко оценить входное сопротивление по сопротивлению базы, а коллекторную емкость считать выходной емкости транзистора. Но здесь и на входе и на выходе имеется двыхкаскадное согласование. Емкость С3 выглядит большой, но поскольку транзистор рассчитан на работу в полосе 0.7-1.4 ГГц при напряжении 28 В в непрерывном режиме и 35-40 В в импульсном режиме на явно на большую мощность, то наверное так и должно быть. В принципе зарубежные LDMOS транзисторы сейчас могут обеспечить большие мощности до 2 ГГц. Но если другого выхода нет, то тогда хотя бы надо знать на какую номинальную мощность он рассчитан (отсюда эквивалентное выходное сопротивление, реактивность тогда скомпенсирована), а вход считать настроенным на примерно 1 Ом или что-то вроде этого и тоже считать скомпенсированной внутреннюю реактивность. Тогда в качестве входной и выходной реактивностей надо учитывать только индуктивности выводов L3 и L7.

[Alexey_B]

P.S. Мне только одно непонятно, зачем связываться с ВЧ биполярными отечественными транзисторами. Уж горя с ними я нахлебался (особенно с общей базой - 2Т937Б, 2Т989Е) - возбуждаются, и гистерезисы ЧХ имеют и обвязка с управлением солидная.

Да, ситуация знакомая...

Здесь пока просто нужно посмотреть, возможно ли из него вытянуть 60 ватт на 900 МГц или нет. По справочным данным можно до 70... Изделие будет штучное, никаких больших серий, а транзисторы без дела пропадают. Новые, и из относительно приличной партии, как показала практика. Обвязки никакой, кроме резистора в эмиттере на корпус, не нужно. Готовый предварительный каскад уже есть.

Лучше возьмите импортный полевик - технологий LDMOS или GaAs. Гораздо более стабильные, без гистерезисов, управляемые простейшим резистивным делителем в цепи затвора. LDMOS правда имеют особенность - ток покоя ползет вверх с прогревом транзистора.

Это понятно. Мы в основном их и применяем, только на другие диапазоны. Этот вариант тоже рассматривается, просто под рукой таких транзисторов сейчас нет. А 2Т979А есть)

Но если другого выхода нет, то тогда хотя бы надо знать на какую номинальную мощность он рассчитан (отсюда эквивалентное выходное сопротивление, реактивность тогда скомпенсирована), а вход считать настроенным на примерно 1 Ом или что-то вроде этого и тоже считать скомпенсированной внутреннюю реактивность. Тогда в качестве входной и выходной реактивностей надо учитывать только индуктивности выводов L3 и L7.

Спасибо за обстоятельный ответ! Короче говоря, на входе оставляю L3 последовательно с активным сопротивлением 1 Ом, а на выходе - L7 последовательно с активным сопротивлением, равным эквивалентному выходному?

В принципе, у меня есть и такая мысль: набрать всю эту схему в MWO, выкинуть генератор тока и просто тупо настраивать по минимуму КСВ на входе и выходе. Но опять же возникает вопрос, насколько корректным получится результат. И с сопротивлением эмиттера не всё ясно.