реклама на сайте
подробности

 
 
> Extraction S parameters FET in small-signal model
YuriyMatveev
сообщение Feb 7 2008, 08:32
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 156
Регистрация: 3-01-08
Из: SPb
Пользователь №: 33 795



Добрый день!!!! Есть следующий вопрос:
Не так давно расчитывал усилитель мощности в классе "А" (2,3-2,7GHz), для согласования транзистора на максимальную выходную мощность по методу Криппса использовал малосигнальную модель FET полученную из измеренных S-параметров, модель получил в MWO путем подгонки ее S-параметров к измеренным данным, и вроде как все получилось с довольно неплохим приближением к расчету.
Сейчас возникла необходимость расчета другого усилителя, также в классе А, но вот с моделью ничего не получается, очень уж сильно все зависит от задаваемых начальных условий, вернее начальных значений номиналов элементов модели FET, без конкретного точного начального приближения получить примемлемый результат путем оптимизации достаточно сложно, да и долго.

Вопрос в следующем подскажите какие нибудь free software tools для экстракции S-параметров транзистора в его малосигнальную модель.


P.S.(из платного программного обеспечения позволяющего делать экстракцию нашел только ,Ampsa Mosaic Multimatch, - но дороговато, заниматься самому разработкой такой програмки конечно интересно но как всегда нет времени, да и статей по данному направлению не так уж много.
Еще слышал про free программу "FETCad" но найти ее так и не удалось )
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
grandrei
сообщение Feb 13 2008, 09:22
Сообщение #2


Местный
***

Группа: Новичок
Сообщений: 211
Регистрация: 20-12-07
Из: Дублин-Москва
Пользователь №: 33 487



Автоматизированные системы измерений стоят дорого, что у Maury, что у Focus Microwave. Обычные механические тюнеры недороги, но с ними не так просто точно настраивать. Лучший способ - это запросить модель транзистора у фирмы-производителя и все промоделировать в MWO ли, ADS или Аnsoft. Хотя для класса А достаточно и малосигнальной эквивалентной схемы и предусмотреть небольшие подстройки. Правда, если это мощные транзисторы, состоящие из большого количества fingers, то надо учитывать и все распределенные эффекты. В принципе на перспективу, можно самому создавать модели, и необязательно уж очень точные, если корректно измерить вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики транзистора, на базе встроенных моделей.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Сообщений в этой теме
- YuriyMatveev   Extraction S parameters FET in small-signal model   Feb 7 2008, 08:32
- - YuriyMatveev   А кто нибудь вообще занимается разработкой СВЧ уси...   Feb 12 2008, 11:02
- - RFMAN   Ну, я занимался и сейчас иногда приходится. Для ли...   Feb 12 2008, 11:31
|- - YuriyMatveev   Цитата(RFMAN @ Feb 12 2008, 14:31) Ну, я ...   Feb 12 2008, 11:41
|- - RFMAN   Цитата(YuriyMatveev @ Feb 12 2008, 15:41)...   Feb 12 2008, 12:04
|- - YuriyMatveev   Цитата(RFMAN @ Feb 12 2008, 15:04) Входна...   Feb 12 2008, 13:03
- - RFMAN   Цитатапри измерении КСВ по входу и выходу получилс...   Feb 12 2008, 13:30
- - YuriyMatveev   Я имею ввиду малосигнальные значения КСВ 1,2 - 1,3...   Feb 12 2008, 13:36
- - RFMAN   При компрессии 1 дБ режим транзистора уже близок к...   Feb 12 2008, 13:51
- - YuriyMatveev   Спасибо за App.note. имеется такой . Но насколько ...   Feb 12 2008, 14:46
- - RFMAN   Юрий, честно говоря, так и не понял, где я отнесся...   Feb 12 2008, 15:07
- - grandrei   В принципе, оперируя импедансами легко менять выхо...   Feb 12 2008, 15:40
- - YuriyMatveev   Спасибо за ответы, вобщем вобщем меня и интересова...   Feb 13 2008, 07:11
- - RFMAN   Написал год назад Mitsubishi насчет нелинейных мод...   Feb 13 2008, 11:47
- - YuriyMatveev   А все таки, возвращаясь к началу, как получить мал...   Feb 13 2008, 13:39
- - grandrei   Это целая процедура. Первым делом надо определитьс...   Feb 13 2008, 14:40


Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 31st July 2025 - 16:01
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01365 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016