Посоветуйте решение регулировки напряжения ШИМ, с минимальным колличеством деталей Опции

[brag]

Значит есть напряжение -5в, ШИМ и надо получить напряжение от 0 до -5в. (для регулировки контрастности дисплея)
Сварганил такую схемку. в принципи, работет, но жрет оа милиампер 10 только от 3.3в и греются транзисторы, и питание -5в падает до -3.5в ток нужен не большой на выходе, порядка 5-10ма.
Мучился долго с подбором режима работы T2, пока на конец то схема начала правильно работать. частоту шима можно сменить,остальные детали тоже, кроме дросселя. желательно, чтобы он был 33мкгн или 1мгн. также имеется еще напряжение +5в.
Перерыл инет, нашел только мощные схемы, а таких маломощных не нашел..поделитесь, плиз, кто может опытом или примером..
Спасибо!

[wim]

... и греются транзисторы, и питание -5в падает до -3.5в...

Попробуем посчитать, ага? Размах пульсаций тока в дросселе - это входное напряжение, умноженное на коэффициент заполнения, умноженное на единицу минус коэффициент заполнения и деленное на индуктивность и частоту коммутации. Для коэффициента заполнения, к примеру, 0,5 имеем: 5*0,5*0,5/(33E-6*70E3), т.е. примерно 0,5А. Как же такой крохе, как BC847, не греться от такого тока? Удивительно, как он еще жив, болезный.

Сообщение отредактировал wim - Mar 3 2008, 11:20

[yuri_d]

Для коэффициента заполнения, к примеру, 0,5 имеем: 5*0,5*0,5/(33E-6*70E3), т.е. примерно 0,5А.

IMHO расчет неправильный. Например при напряжении на выходе -5В, ток через индуктивность будет равен нулю при любом коэффициенте заполнения.

Однако такой ток возможен при резкой смене коэффициента заполнения (например с 0 до 0.5).

[wim]

IMHO расчет неправильный. Например при напряжении на выходе -5В, ток через индуктивность будет равен нулю при любом коэффициенте заполнения.

Однако такой ток возможен при резкой смене коэффициента заполнения (например с 0 до 0.5).

Тогда - подробненько, по пунктикам ... В первом интервале, когда транзистор открыт, к индуктивности прикладывается постоянное напряжение, равное разности входного напряжения Vin и выходного Vo. Ток в индуктивности нарастает линейно и изменение этого тока равно (Vin-Vo)*Ton/L, где Ton – длительность открытого состояния транзистора.
Для понижающего преобразователя Vo=Vin*D, где D – коэффициент заполнения.
Отсюда получаем размах пульсаций тока в дросселе:
(Vin-Vin*D)*Ton/L = Vin*(1-D)*D/L*Fs, где Fs – частота коммутации.
И таки что здесь неправильного? Для пульсаций тока в дросселе коэффициент заполнения 0,5 – наихудший случай, именно для него и надо делать расчёт.

[yuri_d]

когда транзистор открыт, к индуктивности прикладывается постоянное напряжение, равное разности входного напряжения Vin и выходного Vo.

Вот об этом я и говорю. Если выходное напряжение -5В и входное -5В, то тока через индуктивность не будет.

Для понижающего преобразователя Vo=Vin*D, где D – коэффициент заполнения.

Полагаю, что формула справедлива только для режима НТ. Расмотрите случай, когда нагрузка отсутствует. Тогда выходные конденсаторы довольно быстро зарядятся до входного напряжения и мы получим Vo=Vin при любом D>0.

[wim]

Вот об этом я и говорю. Если выходное напряжение -5В и входное -5В, то тока через индуктивность не будет.
Полагаю, что формула справедлива только для режима НТ. Расмотрите случай, когда нагрузка отсутствует. Тогда выходные конденсаторы довольно быстро зарядятся до входного напряжения и мы получим Vo=Vin при любом D>0.

Однако ж, транзисторы греются, а, кроме как током коллектора, греться им особо нечем. Стало быть, ток коллектора T1 куда-то всё-таки течёт. Мож там не 10 мА в нагрузке, а больше?
И, если я правильно понял исходные условия, ШИМ не регулируется автоматически, его параметры задаются внешней схемой, т.е. коэффициент заполнения в принципе может принимать любое значение от 0 до 1.

[yuri_d]

Однако ж, транзисторы греются, а, кроме как током коллектора, греться им особо нечем. Стало быть, ток коллектора T1 куда-то всё-таки течёт. Мож там не 10 мА в нагрузке, а больше?

Вполне возможно, что в нагрузке больше 10мА. Это может померить и сказать только автор. Однако не стоит недооценивать вклад тока коллектора Т2 на перегрев.

Посмотрите какой получится ток Т2 в открытом состоянии. Это напряжение питания за вычетом падений на открытом Т2 и базе Т1, делённое на R3. Грубый расчёт даёт (3.3+5-0.2-0.9)/100=72мА. Мощность, падающая на Т1 за счёт тока базы 0.9*0.07=63мВт. С учётом теплового сопротивления переход среда 500 К/Вт (филипсовский datasheet). Получим перегрев 30 градусов. Полагаю, что основное сопротивление - это корпус-среда (сейчас не хочется искать точных чисел для SOT23). В итоге при комнатной температуре имеем транзистор, нагретый до 50 градусов. Очень даже горячий

Почему греется Т2 не могу сказать. Суммарная мощность на нём в открытом состоянии не очень большая 2мВт от цепи базы (0.8*0.0025) и 14мВт (0.2*0.07) от цепи коллектора. Это должно дать всего 8 градусов перегрева.

И, если я правильно понял исходные условия, ШИМ не регулируется автоматически, его параметры задаются внешней схемой, т.е. коэффициент заполнения в принципе может принимать любое значение от 0 до 1.

Если в этой схеме нет обратной связи, то выходное напряжение будет от -5В до -5В*D в зависимости от сопротивления нагрузки. Плюс к этому она не защищена от КЗ в нагрузке.

Вместо дросселя,диода стоял RC. ну и резисторы в цепях базы Т1 стояли другие.

Тогда понятно. Получился источник питания с высоким выходным сопротивлением (равно R из чепочки).

В общем рекомендую подумать насчёт ОУ (как я предлагал в #3). Проблемы как рукой снимет.

[wim]

Вполне возможно, что в нагрузке больше 10мА. Это может померить и сказать только автор. Однако не стоит недооценивать вклад тока коллектора Т2 на перегрев.

Посмотрите какой получится ток Т2 в открытом состоянии. Это напряжение питания за вычетом падений на открытом Т2 и базе Т1, делённое на R3. Грубый расчёт даёт (3.3+5-0.2-0.9)/100=72мА. Мощность, падающая на Т1 за счёт тока базы 0.9*0.07=63мВт. С учётом теплового сопротивления переход среда 500 К/Вт (филипсовский datasheet). Получим перегрев 30 градусов. Полагаю, что основное сопротивление - это корпус-среда (сейчас не хочется искать точных чисел для SOT23). В итоге при комнатной температуре имеем транзистор, нагретый до 50 градусов. Очень даже горячий

320 К/Вт на тестовой п/плате (размер 15х7,5 мм). Полагаю, вряд ли T1 греется так сильно базовым током.