Цитата(wim @ Mar 3 2008, 18:14)

Однако ж, транзисторы греются, а, кроме как током коллектора, греться им особо нечем. Стало быть, ток коллектора T1 куда-то всё-таки течёт. Мож там не 10 мА в нагрузке, а больше?
Вполне возможно, что в нагрузке больше 10мА. Это может померить и сказать только автор. Однако не стоит недооценивать вклад тока коллектора Т2 на перегрев.
Посмотрите какой получится ток Т2 в открытом состоянии. Это напряжение питания за вычетом падений на открытом Т2 и базе Т1, делённое на R3. Грубый расчёт даёт (3.3+5-0.2-0.9)/100=72мА. Мощность, падающая на Т1 за счёт тока базы 0.9*0.07=63мВт. С учётом теплового сопротивления переход среда 500 К/Вт (филипсовский datasheet). Получим перегрев 30 градусов. Полагаю, что основное сопротивление - это корпус-среда (сейчас не хочется искать точных чисел для SOT23). В итоге при комнатной температуре имеем транзистор, нагретый до 50 градусов. Очень даже горячий
Почему греется Т2 не могу сказать. Суммарная мощность на нём в открытом состоянии не очень большая 2мВт от цепи базы (0.8*0.0025) и 14мВт (0.2*0.07) от цепи коллектора. Это должно дать всего 8 градусов перегрева.
Цитата(wim @ Mar 3 2008, 18:14)

И, если я правильно понял исходные условия, ШИМ не регулируется автоматически, его параметры задаются внешней схемой, т.е. коэффициент заполнения в принципе может принимать любое значение от 0 до 1.
Если в этой схеме нет обратной связи, то выходное напряжение будет от -5В до -5В*D в зависимости от сопротивления нагрузки. Плюс к этому она не защищена от КЗ в нагрузке.

Цитата(brag @ Mar 3 2008, 19:06)

Вместо дросселя,диода стоял RC. ну и резисторы в цепях базы Т1 стояли другие.
Тогда понятно. Получился источник питания с высоким выходным сопротивлением (равно R из чепочки).
В общем рекомендую подумать насчёт ОУ (как я предлагал в #3). Проблемы как рукой снимет.