реклама на сайте
подробности

 
 
> Предложения по усовершенствованию C8051F9xx, разумны ли аргументы
Alexey-ka
сообщение Mar 12 2008, 13:19
Сообщение #1


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 20
Регистрация: 27-02-07
Из: СПб
Пользователь №: 25 712



Коллеги! Фирма Silicon Labs анонсировала новую серию микроконтроллеров C8051F9xx. Микроконтроллер оптимизирован для использования в батарейных приложениях - 170 мкA/МГц (на максимальной частоте), нижний порог питания 0.9В.

Вопрос для обсуждения:
Микросхема запускается от внутреннего высокочастотного генератора 20МГц с делителем /8. Итого, при включении питания кристалл начинает молотить на частоте 2.5 МГц. Собственно вопрос: имеет ли смысл модифицировать кристалл таким образом, чтобы он запускался от низкочастотного генератора, а затем, при необходимости, можно было программно разрешить высокочастотный генератор и тактироваться от него.

Принимаются ответы: да/нет, аргументы.

Более конкретно можно поставить вопрос по-другому: в каких конкретных задачах может потребоваться переключение кристалла в режим сна сразу же после его включения, а уж затем (по событию) разбудить его и молотить на большой частоте.

Подоплека вопроса: сейчас Silicon Labs принимает аргументы в пользу усовершенствования кристалла, дабы более плотно вписаться с батарейные приложения. Можем помочь сами себе.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
Alexey-ka
сообщение Mar 19 2008, 14:21
Сообщение #2


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 20
Регистрация: 27-02-07
Из: СПб
Пользователь №: 25 712



Коллеги!

В части выгодности микроконтроллера с напряжением питания 0.9В в системах с резервным питанием (как предложено уважаемым(-ой) GALA), насколько будет выгодно применение ионистора? Какие за и против? Насколько применим этот вариант в Ваших задачах?

Пока вижу такие "За":
1. для продолжительной работы микроконтроллера достаточно одного ионистора на 2.5В;
2. нижний порог 0.9В находится в пределах рабочего напряжения такого ионистора;
3. чем ниже напряжение на ионисторе, тем больше его срок службы (технологическое свойство ионистора);
4. чем ниже напряжение на ионисторе, тем ниже его токи утечки / саморазряд (технологическое свойство ионистора).

Плюсы одного элемента, относительно блока из двух элементов, соединенных последовательно:
1. стоимость??? различна ли?
2. компактность;
3. внутреннее сопротивление одного источника ниже, чем двух, соединенных последовательно;
4. нет проблемы неравномерности распределения нагрузки вследствие неодинаковости разных экземпляров ионисторов (как итог - перенапряжения отдельных элементов, возникающих без дополнительной шунтировки элементов в батарее либо повышенных токов утечки из-за шунтов).

Алексей

Сообщение отредактировал Alexey-ka - Mar 19 2008, 14:22
Go to the top of the page
 
+Quote Post
SIA
сообщение Mar 19 2008, 15:23
Сообщение #3


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 462
Регистрация: 26-06-07
Пользователь №: 28 723



Цитата(Alexey-ka @ Mar 19 2008, 17:21) *
Коллеги!

В части выгодности микроконтроллера с напряжением питания 0.9В в системах с резервным питанием (как предложено уважаемым(-ой) GALA), насколько будет выгодно применение ионистора? Какие за и против? Насколько применим этот вариант в Ваших задачах?

Пока вижу такие "За":
1. для продолжительной работы микроконтроллера достаточно одного ионистора на 2.5В;
2. нижний порог 0.9В находится в пределах рабочего напряжения такого ионистора;
3. чем ниже напряжение на ионисторе, тем больше его срок службы (технологическое свойство ионистора);
4. чем ниже напряжение на ионисторе, тем ниже его токи утечки / саморазряд (технологическое свойство ионистора).

Плюсы одного элемента, относительно блока из двух элементов, соединенных последовательно:
1. стоимость??? различна ли?
2. компактность;
3. внутреннее сопротивление одного источника ниже, чем двух, соединенных последовательно;
4. нет проблемы неравномерности распределения нагрузки вследствие неодинаковости разных экземпляров ионисторов (как итог - перенапряжения отдельных элементов, возникающих без дополнительной шунтировки элементов в батарее либо повышенных токов утечки из-за шунтов).

Алексей


Имейте в виду, что наиболее ходовые сейчас ионисторы именно на 3.3В и менее, т.е. одноэлементные.
Для поверхностного монтажа самый ходовой - порядка 0.2 фарады. см. аттач.
Прикрепленные файлы
Прикрепленный файл  eec_en.pdf ( 60.14 килобайт ) Кол-во скачиваний: 91
Прикрепленный файл  eechw.pdf ( 44.06 килобайт ) Кол-во скачиваний: 73
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 22nd July 2025 - 14:33
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01389 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016