Коллеги! Фирма Silicon Labs анонсировала новую серию микроконтроллеров C8051F9xx. Микроконтроллер оптимизирован для использования в батарейных приложениях - 170 мкA/МГц (на максимальной частоте), нижний порог питания 0.9В.
Вопрос для обсуждения:
Микросхема запускается от внутреннего высокочастотного генератора 20МГц с делителем /8. Итого, при включении питания кристалл начинает молотить на частоте 2.5 МГц. Собственно вопрос: имеет ли смысл модифицировать кристалл таким образом, чтобы он запускался от низкочастотного генератора, а затем, при необходимости, можно было программно разрешить высокочастотный генератор и тактироваться от него.
Принимаются ответы: да/нет, аргументы.
Более конкретно можно поставить вопрос по-другому: в каких конкретных задачах может потребоваться переключение кристалла в режим сна сразу же после его включения, а уж затем (по событию) разбудить его и молотить на большой частоте.
Подоплека вопроса: сейчас Silicon Labs принимает аргументы в пользу усовершенствования кристалла, дабы более плотно вписаться с батарейные приложения. Можем помочь сами себе.
Полная версия этой страницы: Предложения по усовершенствованию C8051F9xx
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Микроконтроллеры (MCs) > Все остальные микроконтроллеры > MCS51
Цитата(Alexey-ka @ Mar 12 2008, 16:19) 
Коллеги! Фирма Silicon Labs анонсировала новую серию микроконтроллеров C8051F9xx. Микроконтроллер оптимизирован для использования в батарейных приложениях - 170 мкA/МГц (на максимальной частоте), нижний порог питания 0.9В.
Вопрос для обсуждения:
Микросхема запускается от внутреннего высокочастотного генератора 20МГц с делителем /8. Итого, при включении питания кристалл начинает молотить на частоте 2.5 МГц. Собственно вопрос: имеет ли смысл модифицировать кристалл таким образом, чтобы он запускался от низкочастотного генератора, а затем, при необходимости, можно было программно разрешить высокочастотный генератор и тактироваться от него.
Принимаются ответы: да/нет, аргументы.
Более конкретно можно поставить вопрос по-другому: в каких конкретных задачах может потребоваться переключение кристалла в режим сна сразу же после его включения, а уж затем (по событию) разбудить его и молотить на большой частоте.
Подоплека вопроса: сейчас Silicon Labs принимает аргументы в пользу усовершенствования кристалла, дабы более плотно вписаться с батарейные приложения. Можем помочь сами себе.
Вопрос для обсуждения:
Микросхема запускается от внутреннего высокочастотного генератора 20МГц с делителем /8. Итого, при включении питания кристалл начинает молотить на частоте 2.5 МГц. Собственно вопрос: имеет ли смысл модифицировать кристалл таким образом, чтобы он запускался от низкочастотного генератора, а затем, при необходимости, можно было программно разрешить высокочастотный генератор и тактироваться от него.
Принимаются ответы: да/нет, аргументы.
Более конкретно можно поставить вопрос по-другому: в каких конкретных задачах может потребоваться переключение кристалла в режим сна сразу же после его включения, а уж затем (по событию) разбудить его и молотить на большой частоте.
Подоплека вопроса: сейчас Silicon Labs принимает аргументы в пользу усовершенствования кристалла, дабы более плотно вписаться с батарейные приложения. Можем помочь сами себе.
Предложение осмысленное (да). Более подробно - надо думать.
Цитата(Alexey-ka @ Mar 12 2008, 17:19)
Вопрос для обсуждения:
Микросхема запускается от внутреннего высокочастотного генератора 20МГц с делителем /8. Итого, при включении питания кристалл начинает молотить на частоте 2.5 МГц. Собственно вопрос: имеет ли смысл модифицировать кристалл таким образом, чтобы он запускался от низкочастотного генератора, а затем, при необходимости, можно было программно разрешить высокочастотный генератор и тактироваться от него.
Микросхема запускается от внутреннего высокочастотного генератора 20МГц с делителем /8. Итого, при включении питания кристалл начинает молотить на частоте 2.5 МГц. Собственно вопрос: имеет ли смысл модифицировать кристалл таким образом, чтобы он запускался от низкочастотного генератора, а затем, при необходимости, можно было программно разрешить высокочастотный генератор и тактироваться от него.
Спасибо за ссылку.
Смену частоты SYSCLK использовали в пульте дистанционного управления ТВ-камерой. Переход на внешний генератор можно сделать и по существующей схеме, много времени и энергии это не заберет, зачем усложнять.
Если бы добавили возможность зарядки Акк. не отключая его от проц.
или
возможность отключения Vbat (замена Акк.) при наличии пит. на Vdd/DC+
P.S. На Vdd/DC+ нельзя подавать внешнее питание ? или можно ?
или
возможность отключения Vbat (замена Акк.) при наличии пит. на Vdd/DC+
P.S. На Vdd/DC+ нельзя подавать внешнее питание ? или можно ?
Всем привет!
Вообще то по микроконтроллерам SiLabs существует специальный форум, регулярно просматриваемый производителем http://silabs.ru/forum/index.php , так что лучше такие вопросы обсуждать там, а не здесь!
Вообще то по микроконтроллерам SiLabs существует специальный форум, регулярно просматриваемый производителем http://silabs.ru/forum/index.php , так что лучше такие вопросы обсуждать там, а не здесь!
Цитата(gala @ Mar 14 2008, 21:15)
Если бы добавили возможность зарядки Акк. не отключая его от проц.
спасибо, передано
Цитата(gala @ Mar 14 2008, 21:15)
или
возможность отключения Vbat (замена Акк.) при наличии пит. на Vdd/DC+
возможность отключения Vbat (замена Акк.) при наличии пит. на Vdd/DC+
спасибо, сейчас обсуждаем этот вопрос. Сложность такая: если реализована схема с основным питанием на Vdd/DC+ и резервным источником на Vbat, то отключать резервный источник при наличии питания на Vdd/DC+ нельзя - может накрыться внутренний DC/DC.
Кстати, основной источник на Vdd/DC+ нужно подключать через диод, иначе при выключении основного питания могут возникнуть утечки.
Цитата(gala @ Mar 14 2008, 21:15)
P.S. На Vdd/DC+ нельзя подавать внешнее питание ? или можно ?
Можно, это штатный режим работы в режиме 2 батареи. Нужно соединить VBAT с Vdd/DC+ и не забыть запретить DC-DC (вывод DCEN - на землю)
Если же вопрос с подоплёкой к предыдущему вопросу, тогда резервный источник подключается на VBAT, DCEN - по схеме в ДШ, основной источник - на Vdd/DC+. И опять же не забыть про упомянутую проблему. Возможно SiLabs предложит решение, тогда опубликую здесь.
--
Алексей
Цитата(608 @ Mar 14 2008, 09:12)
Переход на внешний генератор можно сделать и по существующей схеме, много времени и энергии это не заберет, зачем усложнять.
Спасибо.
Цитата(Charley @ Mar 15 2008, 20:25)
лучше такие вопросы обсуждать там, а не здесь!
Не могу согласиться, так как вопрос скорее не о SiLabs, а о широком круге конкретных задач присутствующих на форуме специалистов.
Коллеги!
В части выгодности микроконтроллера с напряжением питания 0.9В в системах с резервным питанием (как предложено уважаемым(-ой) GALA), насколько будет выгодно применение ионистора? Какие за и против? Насколько применим этот вариант в Ваших задачах?
Пока вижу такие "За":
1. для продолжительной работы микроконтроллера достаточно одного ионистора на 2.5В;
2. нижний порог 0.9В находится в пределах рабочего напряжения такого ионистора;
3. чем ниже напряжение на ионисторе, тем больше его срок службы (технологическое свойство ионистора);
4. чем ниже напряжение на ионисторе, тем ниже его токи утечки / саморазряд (технологическое свойство ионистора).
Плюсы одного элемента, относительно блока из двух элементов, соединенных последовательно:
1. стоимость??? различна ли?
2. компактность;
3. внутреннее сопротивление одного источника ниже, чем двух, соединенных последовательно;
4. нет проблемы неравномерности распределения нагрузки вследствие неодинаковости разных экземпляров ионисторов (как итог - перенапряжения отдельных элементов, возникающих без дополнительной шунтировки элементов в батарее либо повышенных токов утечки из-за шунтов).
Алексей
В части выгодности микроконтроллера с напряжением питания 0.9В в системах с резервным питанием (как предложено уважаемым(-ой) GALA), насколько будет выгодно применение ионистора? Какие за и против? Насколько применим этот вариант в Ваших задачах?
Пока вижу такие "За":
1. для продолжительной работы микроконтроллера достаточно одного ионистора на 2.5В;
2. нижний порог 0.9В находится в пределах рабочего напряжения такого ионистора;
3. чем ниже напряжение на ионисторе, тем больше его срок службы (технологическое свойство ионистора);
4. чем ниже напряжение на ионисторе, тем ниже его токи утечки / саморазряд (технологическое свойство ионистора).
Плюсы одного элемента, относительно блока из двух элементов, соединенных последовательно:
1. стоимость??? различна ли?
2. компактность;
3. внутреннее сопротивление одного источника ниже, чем двух, соединенных последовательно;
4. нет проблемы неравномерности распределения нагрузки вследствие неодинаковости разных экземпляров ионисторов (как итог - перенапряжения отдельных элементов, возникающих без дополнительной шунтировки элементов в батарее либо повышенных токов утечки из-за шунтов).
Алексей
Цитата(Alexey-ka @ Mar 19 2008, 17:21)
Коллеги!
В части выгодности микроконтроллера с напряжением питания 0.9В в системах с резервным питанием (как предложено уважаемым(-ой) GALA), насколько будет выгодно применение ионистора? Какие за и против? Насколько применим этот вариант в Ваших задачах?
Пока вижу такие "За":
1. для продолжительной работы микроконтроллера достаточно одного ионистора на 2.5В;
2. нижний порог 0.9В находится в пределах рабочего напряжения такого ионистора;
3. чем ниже напряжение на ионисторе, тем больше его срок службы (технологическое свойство ионистора);
4. чем ниже напряжение на ионисторе, тем ниже его токи утечки / саморазряд (технологическое свойство ионистора).
Плюсы одного элемента, относительно блока из двух элементов, соединенных последовательно:
1. стоимость??? различна ли?
2. компактность;
3. внутреннее сопротивление одного источника ниже, чем двух, соединенных последовательно;
4. нет проблемы неравномерности распределения нагрузки вследствие неодинаковости разных экземпляров ионисторов (как итог - перенапряжения отдельных элементов, возникающих без дополнительной шунтировки элементов в батарее либо повышенных токов утечки из-за шунтов).
Алексей
В части выгодности микроконтроллера с напряжением питания 0.9В в системах с резервным питанием (как предложено уважаемым(-ой) GALA), насколько будет выгодно применение ионистора? Какие за и против? Насколько применим этот вариант в Ваших задачах?
Пока вижу такие "За":
1. для продолжительной работы микроконтроллера достаточно одного ионистора на 2.5В;
2. нижний порог 0.9В находится в пределах рабочего напряжения такого ионистора;
3. чем ниже напряжение на ионисторе, тем больше его срок службы (технологическое свойство ионистора);
4. чем ниже напряжение на ионисторе, тем ниже его токи утечки / саморазряд (технологическое свойство ионистора).
Плюсы одного элемента, относительно блока из двух элементов, соединенных последовательно:
1. стоимость??? различна ли?
2. компактность;
3. внутреннее сопротивление одного источника ниже, чем двух, соединенных последовательно;
4. нет проблемы неравномерности распределения нагрузки вследствие неодинаковости разных экземпляров ионисторов (как итог - перенапряжения отдельных элементов, возникающих без дополнительной шунтировки элементов в батарее либо повышенных токов утечки из-за шунтов).
Алексей
Имейте в виду, что наиболее ходовые сейчас ионисторы именно на 3.3В и менее, т.е. одноэлементные.
Для поверхностного монтажа самый ходовой - порядка 0.2 фарады. см. аттач.
Коллеги, вдобавок к вышесказанному по использованию F9xx в схеме с резервным питанием на VBAT прояснилось следующее:
1. VBAT нельзя оставлять болтающимся в воздухе, иначе кирдык DC/DC;
2. Напряжение на VBAT должно быть больше 0.9В, иначе работает монитор питания и микросхема зависнет в RESET'е;
3. Напряжение на VBAT должно быть не больше 1.8В, иначе кирдык входным каскадам и/или DC/DC.
4. Для решения 1. 2 и 3. при использовании F9xx в изделии с резервным питанием нужно обеспечить на VBAT напряжение 0.9..1.8В со входа основного источника - путем простого LDO или, еще проще, диодно-резисторной цепью.
Отсюда, на мой взгляд, F9xx можно использовать с схемах с резервным питанием только в случаях, когда основной источник питания де-факто может отключаться на непродолжительное время и при условии, что резервный источник питания "спокоен" к присутствию внешнего питающего напряжения (например, ионистор).
Если кому есть что добавить - пишите.
1. VBAT нельзя оставлять болтающимся в воздухе, иначе кирдык DC/DC;
2. Напряжение на VBAT должно быть больше 0.9В, иначе работает монитор питания и микросхема зависнет в RESET'е;
3. Напряжение на VBAT должно быть не больше 1.8В, иначе кирдык входным каскадам и/или DC/DC.
4. Для решения 1. 2 и 3. при использовании F9xx в изделии с резервным питанием нужно обеспечить на VBAT напряжение 0.9..1.8В со входа основного источника - путем простого LDO или, еще проще, диодно-резисторной цепью.
Отсюда, на мой взгляд, F9xx можно использовать с схемах с резервным питанием только в случаях, когда основной источник питания де-факто может отключаться на непродолжительное время и при условии, что резервный источник питания "спокоен" к присутствию внешнего питающего напряжения (например, ионистор).
Если кому есть что добавить - пишите.
Цитата(Alexey-ka @ Apr 8 2008, 15:06)
Коллеги, вдобавок к вышесказанному по использованию F9xx в схеме с резервным питанием на VBAT прояснилось следующее:
1. VBAT нельзя оставлять болтающимся в воздухе, иначе кирдык DC/DC;
2. Напряжение на VBAT должно быть больше 0.9В, иначе работает монитор питания и микросхема зависнет в RESET'е;
3. Напряжение на VBAT должно быть не больше 1.8В, иначе кирдык входным каскадам и/или DC/DC.
4. Для решения 1. 2 и 3. при использовании F9xx в изделии с резервным питанием нужно обеспечить на VBAT напряжение 0.9..1.8В со входа основного источника - путем простого LDO или, еще проще, диодно-резисторной цепью.
Отсюда, на мой взгляд, F9xx можно использовать с схемах с резервным питанием только в случаях, когда основной источник питания де-факто может отключаться на непродолжительное время и при условии, что резервный источник питания "спокоен" к присутствию внешнего питающего напряжения (например, ионистор).
Если кому есть что добавить - пишите.
1. VBAT нельзя оставлять болтающимся в воздухе, иначе кирдык DC/DC;
2. Напряжение на VBAT должно быть больше 0.9В, иначе работает монитор питания и микросхема зависнет в RESET'е;
3. Напряжение на VBAT должно быть не больше 1.8В, иначе кирдык входным каскадам и/или DC/DC.
4. Для решения 1. 2 и 3. при использовании F9xx в изделии с резервным питанием нужно обеспечить на VBAT напряжение 0.9..1.8В со входа основного источника - путем простого LDO или, еще проще, диодно-резисторной цепью.
Отсюда, на мой взгляд, F9xx можно использовать с схемах с резервным питанием только в случаях, когда основной источник питания де-факто может отключаться на непродолжительное время и при условии, что резервный источник питания "спокоен" к присутствию внешнего питающего напряжения (например, ионистор).
Если кому есть что добавить - пишите.
Тема старая, но полностью не раскрытая. Можно ли использовать МК с внешним питанием на VDD/DC+, в случае пропажи которого переключатся на батарейку 1,5В с внутренним DC-DC конвертором? т.е. пин DCEN будет притянут к батарее через индуктивность, а не к земле во время работы от внешнего источника.
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.