Топология Flash/EEPROM памяти Опции

[KMC]

Может быть, у кого-нибудь есть примеры топологии блоков памяти Flash/EEPROM? Хотелось бы просветиться немного по данной тематике... Понятно, что обычно фабрики дают блоки памяти в виде черных ящиков, но вдруг у кого есть.

И есть ли вообще люди на форуме, которые работали по данной тематике: разрабатывали блоки флэш или ЭСППЗУ памяти?

[KMC]

Пожалуйста. Рад если пригодилось (Микрону?).

Частично А в общем - это относится к моей тематике кандидатской работы

А обвязка - это периферия? А то я и вправду в профессиональном сленге не разбираюсь.

Собственно, получается что так... вообще под обвязкой я понимал элементы, которые непосредственно относяться к ядру, а под переферией - блоки, которые одновременно можно использовать для нескольких ядер (ИОН, ИТ и charge pump) - supply то есть.

[chairman]

... supply то есть.

Ясно. У нас обычно это называют как-нибудь типа Power System или вроде того, где объединяют все источники, регуляторы и т.д. в общем ту часть аналоговой части, которая зашарена между разными блоками. Удачи.

[Oleg_by]

Скажите может у кого завалялась хорошая книга по EEPROM, раньше я работал такой памятью, прошло время - забыл, а ща возникла необходимость восстановить знания. Точнее меня интерисует процесс записи - стирания. в каких случаях что подавать. вроде при записи на затвор землю на исток Vpr(~12v), стирание ноаборот. а вот что на сток???
(сей час имеено делаю EEPROM, есть чужая схема- но разбираться лень что куда)

[chairman]

Скажите может у кого завалялась хорошая книга по EEPROM, раньше я работал такой памятью, прошло время - забыл, а ща возникла необходимость восстановить знания. Точнее меня интерисует процесс записи - стирания. в каких случаях что подавать. вроде при записи на затвор землю на исток Vpr(~12v), стирание ноаборот. а вот что на сток???
(сей час имеено делаю EEPROM, есть чужая схема- но разбираться лень что куда)

Да как хотите, так организовывайте. Можно работать например только с положительным напряжением, только с отрицательным или с обоими. Во всех случаях для п-подложки нужно два кармана (н- и п-). Напряжение стирания и длительность/кол-во импульсов записи зависят от толщины стэка, туннельного диэлектрика и механизма программирования - горячие электроны ли, лавина, фоулер-нордхайм и т.д. В принципе и книги никакой не нужно.