реклама на сайте
подробности

 
 
> АDS, как подобрать транзистор
SHAPE
сообщение Apr 26 2008, 15:27
Сообщение #1





Группа: Новичок
Сообщений: 8
Регистрация: 24-04-08
Пользователь №: 37 064



нужно смоделировать лабораторную работу в Advinced Design System...
макеты лабораторных старые...нужен аналог мп37а или как задать необходимые параметры в ADS..
посоветуйте...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
SHAPE
сообщение Apr 29 2008, 19:43
Сообщение #2





Группа: Новичок
Сообщений: 8
Регистрация: 24-04-08
Пользователь №: 37 064



ммм оке)) спасибо))
нам разрешили ЛЮБОЙ транзистор,но чтобы его коэффициент усиления и частоты были близкими к МП37 А)
вопрос такой...в ADS можно поиск по параметрам ..и как эти параметры там обозначены?(Bf и Tf-это что?)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
proxi
сообщение Apr 29 2008, 20:03
Сообщение #3


Гуру
******

Группа: Banned
Сообщений: 2 754
Регистрация: 5-06-05
Из: Zurich
Пользователь №: 5 744



Цитата(SHAPE @ Apr 29 2008, 22:43) *
ммм оке)) спасибо))
нам разрешили ЛЮБОЙ транзистор,но чтобы его коэффициент усиления и частоты были близкими к МП37 А)
вопрос такой...в ADS можно поиск по параметрам ..и как эти параметры там обозначены?(Bf и Tf-это что?)

Здесь посмотрите:

AREA Area Scaling Factor. Default: 1
IS (A) Saturation current. Default: 1e-16
BF Ideal forward beta. Default: 100
NF Forward emission coefficient. Default: 1
VAF (V) Forward Early voltage. Default: Infinite
IKF (A) Forward beta roll-off corner current. Default: Infinite
ISE (A) B-E leakage saturation current. Default: 0
NE B-E leakage emission coefficient. Default: 1.5
BR Ideal reverse beta. Default: 1
NR Reverse emission coefficient. Default: 1
VAR (V) Reverse Early voltage. Default: Infinite
IKR (A) Reverse beta roll-off corner current. Default: Infinite
ISC (A) B-C leakage saturation current. Default: 0
NC B-C leakage emission coefficient. Default: 2
RB (ohm) Zero bias base resistance. Default: 0
IRB (A) Current for rb=(rb0+rbm)/2. Default: None, Required if RBM specified
RBM (ohm) Minimum base resistance. Default: RB
RE (ohm) Emitter resistance. Default: 0
RC (ohm) Collector resistance. Default: 0
CJE (F) Zero bias B-E capacitance. Default: 0
VJE (V) B-E built in potential. Default: 0.75
MJE B-E junction grading coefficient. Default: 0.33
TF (s) Ideal forward transit time. Default: 0
XTF TF bias dependence coefficient. Default: 0
VTF (V) Voltage giving TF VBC dependence. Default: 0
ITF (A) High current TF dependence. Default: 0
PTF (°) Excess phase. Default: 0
CJC (F) Zero bias B-C capacitance. Default: 0
VJC (V) B-C built in potential. Default: 0.75
MJC B-C junction grading coefficient. Default: 0.33
XCJC Fraction of B-C cap to base. Default: 1
TR (s) Ideal reverse transit time. Default: 0
CJS (F) Zero bias C-S capacitance. Default: 0
VJS (V) Sub. junction built in potential. Default: 0.75
MJS Sub. junction grading coefficient. Default: 0
XTB Forward/reverse beta temp. exp. Default: 0
EG Energy gap for IS temp dependency. Default: 1.11
XTI Temp. exponent for IS. Default: 3
FC Forward bias junction pararmeter. Default: 0.5
TNOM (°C) Measurement temperature. Default: 27
KF Flicker Noise Coefficient. Default: 0
AF Flicker Noise Exponent. Default: 1
LC (H) Collector lead inductance. Default: 0
LB (H) Base lead inductance. Default: 0
LE (H) Emitter lead inductance. Default: 0
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 24th July 2025 - 21:35
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01384 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016