Разобрался малость по этой теме. Но появились другие вопросы... Имею некую М/С драйвер для управления транзистора, на затвор транзистора поступают прямоуг. импульсы с частотой 110 кГц, в описании указано: время нараст. имп. trise = 45 нс, и спада tfall = 45 нс. (опять же при емкостной нагр. 500 пкФ). Т.е. при емкости затвора 500 пкФ. Заряд затвора можно узнать из описания на транзистор, например 35нК. Зная заряд затвора, сопротивление (выходное) М/С драйвера, и напряжение на затворе определяю tвкл. Далее, схема однотактная с индукт. нагрузкой, по известной формуле (Семенов Б.Ю Силовая электроника.. стр. 90) считаю мощность потерь на переключение. только получается очень она низкая, что расходится с экспериментом. Соответственно возникают вопросы: -как определить скважность импульсов поступающих на затвор ? -Выходное сопротивление драйвера уравления определил как отношение Макс. импульса выходного напряжения к максимальному выходному/входному току, правильно или нет ? -не совсем понятно как определяется полный заряд затвора mosfet-транзистора (там есть пологая часть, при постоянном напряжении на затворе - заряд изменяется значительно) какую величину взять при расчетах ?
--------------------
"Батарейки в комплект не входят" :P
|