Потери на переключение в полевом транзисторе, mosfet, импульсный преобразователь Опции

[nikulem]

Здравствуйте!
Кто занимался оценкой потерь на переключения в мощных полевиках с изолированным затвором ?
Если нагрузка индуктивно-активная. Есть ли более простые способы расчета дабы не углублятья в сложные расчеты.?

[nikulem]

Разобрался малость по этой теме. Но появились другие вопросы...
Имею некую М/С драйвер для управления транзистора, на затвор транзистора поступают прямоуг. импульсы с частотой 110 кГц, в описании указано: время нараст. имп. trise = 45 нс, и спада tfall = 45 нс.
(опять же при емкостной нагр. 500 пкФ). Т.е. при емкости затвора 500 пкФ. Заряд затвора можно узнать из описания на транзистор, например 35нК. Зная заряд затвора, сопротивление (выходное) М/С драйвера, и напряжение на затворе определяю tвкл.
Далее, схема однотактная с индукт. нагрузкой, по известной формуле (Семенов Б.Ю Силовая электроника.. стр. 90) считаю мощность потерь на переключение. только получается очень она низкая, что расходится с экспериментом.
Соответственно возникают вопросы:
-как определить скважность импульсов поступающих на затвор ?
-Выходное сопротивление драйвера уравления определил как отношение Макс. импульса выходного напряжения к максимальному выходному/входному току, правильно или нет ?
-не совсем понятно как определяется полный заряд затвора mosfet-транзистора (там есть пологая часть, при постоянном напряжении на затворе - заряд изменяется значительно) какую величину взять при расчетах ?

[_Pasha]

-как определить скважность импульсов поступающих на затвор ?
-Выходное сопротивление драйвера уравления определил как отношение Макс. импульса выходного напряжения к максимальному выходному/входному току, правильно или нет ?
-не совсем понятно как определяется полный заряд затвора mosfet-транзистора (там есть пологая часть, при постоянном напряжении на затворе - заряд изменяется значительно) какую величину взять при расчетах ?

1. Это у Вас должно быть задано. Т.е. Dmax для наихудшей оценки тепловыделения.
2. Имхо, правильно
3. Полный заряд смотрите в даташите Total Gate Charge