S-параметры для RD00HVS1, Странные значения Опции

[Alex999]

Добрый вечер всем. Возникла необходимость расчитать каскад на транзисторе RD00HVS1 на частоту 100МГц. С сайта производителя забрал файл с S-параметрами, сделал импорт в Smith Chart. И получается, что при экспорте S11 в диаграмму Смита, точка указывающая на входной импеданс транзистора на частоте 100МГц, лежит за пределами диаграммы, и ее комплексное сопротивление равно -2.305 - j174.75 Ом. Смотрю в даташит, там параметр S11 для указанной частоты равен 1.004 и -35.2. Но ведь по идее целая часть не может быть больше единицы, и получается что на данной частоте у транзистора отрицательное входное сопротивление? В одной из тем форума было сказано про отрицательное сопротивление, это означает что на данных частотах транзистор работать как усилитель не будет, и каскад будет срываться в генерацию? или я что-то недопонимаю?
С уважением, ко всем.

[grandrei]

Добрый вечер всем. Возникла необходимость расчитать каскад на транзисторе RD00HVS1 на частоту 100МГц. С сайта производителя забрал файл с S-параметрами, сделал импорт в Smith Chart. И получается, что при экспорте S11 в диаграмму Смита, точка указывающая на входной импеданс транзистора на частоте 100МГц, лежит за пределами диаграммы, и ее комплексное сопротивление равно -2.305 - j174.75 Ом. Смотрю в даташит, там параметр S11 для указанной частоты равен 1.004 и -35.2. Но ведь по идее целая часть не может быть больше единицы, и получается что на данной частоте у транзистора отрицательное входное сопротивление? В одной из тем форума было сказано про отрицательное сопротивление, это означает что на данных частотах транзистор работать как усилитель не будет, и каскад будет срываться в генерацию? или я что-то недопонимаю?
С уважением, ко всем.

Это промерян непосредственно транзистор и, естественно, у него есть зоны потенциальной неустойчивости, где k-фактор трназистора будет меньше единицы. Но транзистор с внешними цепями - это уже несколько другое и будет характеризоваться k-фактором цепи, где уже учитываются внешние нагрузки. Поэтому, при проектировании схемы надо просто учесть эту особенность транзистора и постараться внешними цепями (либо резисторами, либо специальными LC-контурами) устранить эту неприятность. Хуже когда эта неустойчивость попадает в область ваших рабочих частот, тогда точно придется слегка пожертвовать усилением (тем более, что на достаточно низких частотах оно весьма большое) в пользу стабильности за счет внесения резистивных потерь.

Сообщение отредактировал grandrei - Jul 1 2008, 17:15

[eugene1]

Это промерян непосредственно транзистор и, естественно, у него есть зоны потенциальной неустойчивости, где k-фактор трназистора будет меньше единицы. Но транзистор с внешними цепями - это уже несколько другое и будет характеризоваться k-фактором цепи, где уже учитываются внешние нагрузки. Поэтому, при проектировании схемы надо просто учесть эту особенность транзистора и постараться внешними цепями (либо резисторами, либо специальными LC-контурами) устранить эту неприятность. Хуже когда эта неустойчивость попадает в область ваших рабочих частот, тогда точно придется слегка пожертвовать усилением (тем более, что на достаточно низких частотах оно весьма большое) в пользу стабильности за счет внесения резистивных потерь.

Всё правильно. Если такие параметры в рабочей полосе, то усилитель с такими параметрами навряд ли можно построить. На этих частотах могут возникнуть проблемы со стабильностью. Но надо помнить, что есть два условия генерации - балланс фаз и балланс амплитуд, при несоблюдении хотя бы одного из этих условий генерации не будет. Всё будет определяться нагрузкой. В пакетах анализа надо учитывать не только коэффициенты устойчивости Mu1,Mu2 (k-фактор считается устаревшим), а также окружности устойчивости (Stability circles).