S-параметры для RD00HVS1, Странные значения Опции

[Alex999]

Добрый вечер всем. Возникла необходимость расчитать каскад на транзисторе RD00HVS1 на частоту 100МГц. С сайта производителя забрал файл с S-параметрами, сделал импорт в Smith Chart. И получается, что при экспорте S11 в диаграмму Смита, точка указывающая на входной импеданс транзистора на частоте 100МГц, лежит за пределами диаграммы, и ее комплексное сопротивление равно -2.305 - j174.75 Ом. Смотрю в даташит, там параметр S11 для указанной частоты равен 1.004 и -35.2. Но ведь по идее целая часть не может быть больше единицы, и получается что на данной частоте у транзистора отрицательное входное сопротивление? В одной из тем форума было сказано про отрицательное сопротивление, это означает что на данных частотах транзистор работать как усилитель не будет, и каскад будет срываться в генерацию? или я что-то недопонимаю?
С уважением, ко всем.

[Alex999]

Спасибо, буду моделировать и пробовать в железе. Если будут вопросы, то надеюсь на Вашу помощь.

[grandrei]

Спасибо, буду моделировать и пробовать в железе. Если будут вопросы, то надеюсь на Вашу помощь.

Всегда рад помочь, но мне кажется тут у вас не должно быть больших проблем, так как и частота, и мощность невысокие, и с полевыми транзисторами проще работать, особенно в плане обеспечения смещения и входного согласования. Другое дело, если вам надо получить высокое КПД, хотя и это не так сложно. Вот, например, в привязанной статье можете найти результаты на аналогичном, но более мощном транзисторе в широком частотном диапазоне.

Прикрепленные файлы

 MTT_2008.pdf ( 774.78 килобайт ) Кол-во скачиваний: 170

 

[oles_k76]

Всегда рад помочь, но мне кажется тут у вас не должно быть больших проблем, так как и частота, и мощность невысокие, и с полевыми транзисторами проще работать, особенно в плане обеспечения смещения и входного согласования. Другое дело, если вам надо получить высокое КПД, хотя и это не так сложно. Вот, например, в привязанной статье можете найти результаты на аналогичном, но более мощном транзисторе в широком частотном диапазоне.

А как быть с согласованием в режиме большого сигнала? Я как раз над этим бьюсь- с малым сигналом
совпадение с расчетом очень хорошее а когда добиваюсь мощности приходится подстраивать?

[grandrei]

А как быть с согласованием в режиме большого сигнала? Я как раз над этим бьюсь- с малым сигналом
совпадение с расчетом очень хорошее а когда добиваюсь мощности приходится подстраивать?

По входным цепям разница не столь велика. Например, для вышеуказанного транзистора все емкости (а это обычно емкости переходов с плавным или резким профилем) меняются в зависимости от приложенного смещения (соответствует малому сигналу) не более, чем на 30-40%, а интегральное значение при большом сигнале будет меньше. Поэтому, при большом сигнале надо брать среднее значение. А резистивное сопротивление затвора слабо зависит от приложенного напряжения. У биполярного транзистора эквивалентная схема входной цепи может быть представлена последовательным соединением относительно постоянного базового резистора и индуктивности вывода, так как дифференциальная емкость базы, шунтирующая переход база-емиттер, очень велика и представляет собой весьма малое сопротивление даже на относительно низких частотах. Выходное же сопротивление источника тока по первой гармонике зависит от напряжения питания и режима работы (класса), и его можно оценить по простым формулам. Конечно, надо учитывать внутренние паразитные элементы, которые некоторым образом трансформируют внутренние импедансы относительно внешних входа или выхода, особенно если это корпусной транзистор. Но надо иметь ввиду, что у биполярного транзистора очень сильный эффект на вход со стороны выхода через достаточно большую емкость коллекторного перехода, в отличие от полевого транзистора.

Сообщение отредактировал grandrei - Jul 2 2008, 14:34

[Isomorphic]

По входным цепям разница не столь велика. Например, для вышеуказанного транзистора все емкости (а это обычно емкости переходов с плавным или резким профилем) меняются в зависимости от приложенного смещения (соответствует малому сигналу) не более, чем на 30-40%, а интегральное значение при большом сигнале будет меньше. Поэтому, при большом сигнале надо брать среднее значение. А резистивное сопротивление затвора слабо зависит от приложенного напряжения. У биполярного транзистора эквивалентная схема входной цепи может быть представлена последовательным соединением относительно постоянного базового резистора и индуктивности вывода, так как дифференциальная емкость базы, шунтирующая переход база-емиттер, очень велика и представляет собой весьма малое сопротивление даже на относительно низких частотах. Выходное же сопротивление источника тока по первой гармонике зависит от напряжения питания и режима работы (класса), и его можно оценить по простым формулам. Конечно, надо учитывать внутренние паразитные элементы, которые некоторым образом трансформируют внутренние импедансы относительно внешних входа или выхода, особенно если это корпусной транзистор. Но надо иметь ввиду, что у биполярного транзистора очень сильный эффект на вход со стороны выхода через достаточно большую емкость коллекторного перехода, в отличие от полевого транзистора.

А вот интересно. Раз усилители в широкополосном классе Е такие замечательные, с большим КПД и широкой полосой, почему же они практически не встречаются в зарубежных радиостанциях? Везде стандартно, куда не залезь - класс АВ с КПД 35-40%. Статьи про УМ с wideband class Е пишут чуть ли не с начала 90-х годов, а в серийных радиостанциях Motorola, I-COM, Vertex (2001-2007) г - по-прежнему выходные усилители в классе АВ. В чем тут засада?

Сообщение отредактировал Isomorphic - Jul 3 2008, 07:21