S-параметры для RD00HVS1, Странные значения Опции

[Alex999]

Добрый вечер всем. Возникла необходимость расчитать каскад на транзисторе RD00HVS1 на частоту 100МГц. С сайта производителя забрал файл с S-параметрами, сделал импорт в Smith Chart. И получается, что при экспорте S11 в диаграмму Смита, точка указывающая на входной импеданс транзистора на частоте 100МГц, лежит за пределами диаграммы, и ее комплексное сопротивление равно -2.305 - j174.75 Ом. Смотрю в даташит, там параметр S11 для указанной частоты равен 1.004 и -35.2. Но ведь по идее целая часть не может быть больше единицы, и получается что на данной частоте у транзистора отрицательное входное сопротивление? В одной из тем форума было сказано про отрицательное сопротивление, это означает что на данных частотах транзистор работать как усилитель не будет, и каскад будет срываться в генерацию? или я что-то недопонимаю?
С уважением, ко всем.

[YuriyMatveev]

Действительно использование готовой нелинейной модели транзистора значительно все упрощает, но в большинстве случаев лишь не многие производители ее предлагают. Создавать модель самому конечно интересно, но все таки процесс довольно долгий, иначе потребуется целая измерительная установка, на что пойдет не всякая фирма! Вот и приходится используя одни лишь S-параметры проектировать усилитель. Для себя я сделал вывод, что доверять S-параметрам которые даны производителем транзистора при проектировании не стоит, их можно лишь использовать для приближенной оценки (например в какой полосе при допустимом КСВ по входу может быть согласован данный транзистор).

Еще вроде как есть программа от IMST "TOPAS" осуществляющая экстракцию измеренных S-параметров транзистора в его малосигнальную модель при различных значениях bias point, что позволяет получать коэффициенты полинома в аппроксимирующем выражении для нелинейных элементов модели. Никто не сталкивался?