Ширина затвора транзистора Опции

[Yura08]

http://www.osp.ru/cw/2001/48/47512/

"Ширина затвора транзистора связана с часто используемой характеристикой процессоров — нормой проектирования (но не эквивалентна ей). Самые современные технологии обеспечивают норму проектирования 0,13 мкм: это означает, что на таком расстоянии друг от друга расположены провода на поверхности микросхемы. Ширина затвора транзистора должна быть еще меньше (чтобы его можно было устанавливать между проводами) и в современных коммерческих микросхемах составляет около 0,1 мкм."

"на таком расстоянии друг от друга расположены провода на поверхности микросхемы"

А куда подевали "провода" над самими затворами? 0,13 мкм - это же расстояние между стоком и истоком, а не между сток-затвор и затвор-исток.

[DS]

Насколько я понимаю, 0.13 мкм - это Рэлеевский предел разрешения фотолитографического оборудования. Реально все элементы должны быть больше.

[zzzzzzzz]

Насколько я понимаю, 0.13 мкм - это Рэлеевский предел разрешения фотолитографического оборудования. Реально все элементы должны быть больше.

Поэтому для получения более мелких фотоизображений используют фотошаблоны с внесенными в картинку предъискажениями с учетом необходимых дифракции и интерференции. Например, в углы прямоугольников вписывают небольшие квадраты. Так, чтобы в результате засветки получился изначальный прямоугольник.
45нм - серийно выпускаемая продукция. Это фотолитография, жесткий УФ.
А есть еще и рентген..

Типивое расстояние между истоком и стоком для транзистора, изготавливаемого по 0.18мкм (длина затвора из поликремния) , уже около 0.1мкм.
Когда говорят о техпроцессе, например, 0.13мкм, то подразумевают как раз воспроизводимость минимального размера любого элемента на фотошаблоне. Реальный поликремний будет полоской около 0.13мкм. Плюс-минус на припуски и растрав.

[DS]

Поэтому для получения более мелких фотоизображений используют фотошаблоны с внесенными в картинку предъискажениями с учетом необходимых дифракции и интерференции. Например, в углы прямоугольников вписывают небольшие квадраты. Так, чтобы в результате засветки получился изначальный прямоугольник.
45нм - серийно выпускаемая продукция. Это фотолитография, жесткий УФ.
А есть еще и рентген..

Типивое расстояние между истоком и стоком для транзистора, изготавливаемого по 0.18мкм (длина затвора из поликремния) , уже около 0.1мкм.
Когда говорят о техпроцессе, например, 0.13мкм, то подразумевают как раз воспроизводимость минимального размера любого элемента на фотошаблоне. Реальный поликремний будет полоской около 0.13мкм. Плюс-минус на припуски и растрав.

С учетом предыскажений и получиться лямбда/3, при этом разница в интенсивности между светлым и темным участком будет раза в 2, не больше. Разрешение, большее, чем лямбда/3 в far-field оптике получить нельзя по определению. я почему почти уверен в том, что это предельные размеры - уж больно точно ложаться эти размеры в 1/3 длину волны эксимерных лазеров на разных газовых смесях.
45 нм - это иммерсия на обычном эксимере. ВУФ литографию ASML пыталась разрабатывать прям в том здании, где я в основном нахожусь, только этажом ниже. Ни хрена не вышло, закрыли. А я уверен, что сильнее команду сейчас они вряд ли соберут. Для рентгена нету зеркал.

Расстояние между какими-то элементами может быть меньше величины разрешения, но тогда будет толще засвеченная часть - разрешением называется расстояние между светлым и темным, которое еще позволяет их разрешить. Поэтому при разрешении в 0.13 мкм можно получить промежуток в 0.05 (если все стабильно в смысле и оптики и химии), но при этом толщина засвеченной части будет 0.08.