Ширина затвора транзистора Опции

[Yura08]

http://www.osp.ru/cw/2001/48/47512/

"Ширина затвора транзистора связана с часто используемой характеристикой процессоров — нормой проектирования (но не эквивалентна ей). Самые современные технологии обеспечивают норму проектирования 0,13 мкм: это означает, что на таком расстоянии друг от друга расположены провода на поверхности микросхемы. Ширина затвора транзистора должна быть еще меньше (чтобы его можно было устанавливать между проводами) и в современных коммерческих микросхемах составляет около 0,1 мкм."

"на таком расстоянии друг от друга расположены провода на поверхности микросхемы"

А куда подевали "провода" над самими затворами? 0,13 мкм - это же расстояние между стоком и истоком, а не между сток-затвор и затвор-исток.

[grandrei]

По-моему, тут какая-то путаница: что за провода (наверное контактные площадки, хотя это тоже не совсем так), когда в кристалле процессора находится миллионы транзисторов, к тому же за быстродействие отвечает длина затвора, а не его ширина. Ширина определяет ток через транзистор и соответственно его мощность. Вот, например, информация из AMD от 2003 года:
Zoran Krivokapic, the lead researcher on the multigate project, based at the company's technology research group in Sunnyvale, Calif., reported that the transistor switching speed — expressed as CV/I, a measure of capacitance, voltage and current — was 0.26 picoseconds for the NMOS devices and 0.45 ps for the PMOS transistors. AMD said those are the fastest transistors reported to date for 20-nm gate length structures. http://www.eetimes.com/story/OEG20030918S0010
А конце 90-х действительно транзисторы делали по технологии 0.13 мкм, что означало длину затвора в 130 нм. Теперь эту устаревшую технологию продают нам за ненадобностью.

Сообщение отредактировал grandrei - Jul 11 2008, 22:29

[zzzzzzzz]

По-моему, тут какая-то путаница: что за провода, когда в процессоре находится миллионы транзисторов, к тому же за быстродействие отвечает длина затвора, а не его ширина. Ширина определяет ток через транзистор и соответственно его мощность. Вот, например, информация из AMD от 2003 года:
Zoran Krivokapic, the lead researcher on the multigate project, based at the company's technology research group in Sunnyvale, Calif., reported that the transistor switching speed — expressed as CV/I, a measure of capacitance, voltage and current — was 0.26 picoseconds for the NMOS devices and 0.45 ps for the PMOS transistors. AMD said those are the fastest transistors reported to date for 20-nm gate length structures. http://www.eetimes.com/story/OEG20030918S0010
А конце 90-х действительно транзисторы делали по технологии 0.13 мкм, что означало длину затвора в 130 нм. Теперь эту устаревшую технологию продают нам за ненадобностью.

Да это журналист же в статье топикстартера писал. Чего там правду искать-то? "Проводники" - это, по сути, малоизвестный сленг.
А насчет покупки устаревшего - так это вопрос цены. Если не шибко дорого - то за счастье. Сами-то такого сделать пока не можем. А по 0.13 (да и по 0.18) можно таких чудес еще наваять, ого-го! Не все же последние микропроцессоры делают. Нужно много чего и другого.

Проблемы не решались....

Понятно. Там целый "букет" сложностей, конечно. Одно должно "успокаивать" разработчиков таких "чудес" - кое-кто это уже реализовал. Правда, затратил на это годы и миллиарды.

[DS]

Понятно. Там целый "букет" сложностей, конечно. Одно должно "успокаивать" разработчиков таких "чудес" - кое-кто это уже реализовал. Правда, затратил на это годы и миллиарды.

Насколько я знаю, пригодных для работы на серийном заовде систем ВУФ литографии нет, и пока не предвидиться. Такие вещи в кармане не спрячешь.