Ширина затвора транзистора Опции

[Yura08]

http://www.osp.ru/cw/2001/48/47512/

"Ширина затвора транзистора связана с часто используемой характеристикой процессоров — нормой проектирования (но не эквивалентна ей). Самые современные технологии обеспечивают норму проектирования 0,13 мкм: это означает, что на таком расстоянии друг от друга расположены провода на поверхности микросхемы. Ширина затвора транзистора должна быть еще меньше (чтобы его можно было устанавливать между проводами) и в современных коммерческих микросхемах составляет около 0,1 мкм."

"на таком расстоянии друг от друга расположены провода на поверхности микросхемы"

А куда подевали "провода" над самими затворами? 0,13 мкм - это же расстояние между стоком и истоком, а не между сток-затвор и затвор-исток.

[khach]

Дурацкий вопрос. Как соотносятся проектные нормы фотолитографии на кремнии, по которым тут меряют развитие технологии и фотолитографии на нетрадиционных полупроводниках? Ведь не секрет, что для оптоэлектроники и СВЧ кремний- это только управление и обработка сигнала, а само устройство СВЧ строится на базе SiGe, GaAs, InP, GaN или InGaAs, InSb для оптоэлектрониики. И проблем с технологическими нормами гораздо больше- карты техпроцессов другие совершенно.
Вообще, что планируется с созданием небольших технологических линий на каждое семейство полупроводников? Во всем мире этим занимаются небольшие фирмочки с полной технологической цепочкой- реакторы роста (MBE, MOCVD), фотолитография, травление, часто плазменное (RIE), нанесение изоляции и металлизации, тестирование изделия. И именно такие фирмочки пекут кристаллы для СВЧ, сенсоров, оптики итд.
Или будет как всегда- все вбухают в субмикронный кремний а все остальное покупать из-за рубежа?