Снаббер на медленном диоде, Возможно ли? Опции

[Прохожий]

Сначала суть. Вниманию уважаемого сообщества предлагается снаббер следующей конструкции:
[attachment=22990:attachment]
Это общеизвестная идея. Здесь VD1 - диод с большим временем обратного восстановления.
В теории это должно работать следующим образом:
[attachment=22992:attachment]
Здесь зеленое - напряжение на IGBT, а красное - его ток коллектора.
Как видно из последнего рисунка - закрывание IGBT происходит при низком напряжении, что позволяет снизить динамические потери.
Беда только в одном - таких диодов (типа VD1 из верхнего рисунка) в реальности не существует.
А может существуют?... А я не нашел?
Если кто в курсе - подскажите, пожалуйста.

Сообщение отредактировал Прохожий - Jul 21 2008, 19:31

[Прохожий]

Спасибо всем ответившим.
Однако, применение 1N4007 для моих токов неуместно. Боюсь его просто разорвет.
Что же касается остальных вариантов, то в качестве медленного диода за основу была взята модель диода 40EPS12. Для достижения результата, полученного в виде рисунков, в исходной модели значительно увеличены параметры TT и СJO. Иначе, ток "накачки" получается очень большой.
Предложение о токе перед закрыванием может привести к чрезмерному усложнению управляющей схемы. Кроме этого, время "накачки" диода током так же имеет значение. Если это время малО, то и задержка так же малА.
Кроме всего прочего, работа стандартных выпрямительных диодов при больших, часто повторяющихся токах реверса, производителем не гарантируется. Поэтому, применение этих диодов в подобных снабберах считаю радиолюбительством.
Речь в стартовом сообщении шла о специальных диодах, которые в полном смысле слова "диод" таковыми, по всей вероятности, уже не являются.
По моим данным 15 летней давности, разработкой таких полупроводниковых приборов занимались в Запорожье в приложениях с GTO.
Допускаю так же, что подобные решения могут быть интегрированы непосредственно в силовые модули ряда фирм. Особенно, если предположить, что ток "накачки" удалось уменьшить до единиц миллиампер.
Вопрос состоял в следующем - может кому доводилось встречать в жизни подобные полупроводниковые приборы?

[SAVC]

Что же касается остальных вариантов, то в качестве медленного диода за основу была взята модель диода 40EPS12. Для достижения результата, полученного в виде рисунков, в исходной модели значительно увеличены параметры TT и СJO. Иначе, ток "накачки" получается очень большой.

Получился "ну очень медленный" диод...
На ум приходят только селеновые столбы

Кроме всего прочего, работа стандартных выпрямительных диодов при больших, часто повторяющихся токах реверса, производителем не гарантируется. Поэтому, применение этих диодов в подобных снабберах считаю радиолюбительством.

Если не превышается допустимая температура кристалла, то всё ОК. Какие ещё есть ограничения?
А это как раз уже не радиолюбительство получается, а супер профи
Тепловой расчёт для импульсных токов.

Мне всё покоя не даёт эта статья с сайта Семёнова. Та схема, с токовым трансом - она, ведь, не будет работать! Единственный вариант - токовый транс использован как дроссель, и ток перепрыгивает во вторичку, когда транзистор начинает закрываться. Появляется дополнительная гибкость к идее схемы с дросселем. Впрочем, увеличить ток накачки диода здесь можно тоже только увеличив индуктивность дросселя в цепи транзистора. Где-то там должна быть запятая...

А вот интересно было бы гнать ток через демпферный диод, пропорциональный рабочему, всё время, пока открыт транзистор. Тогда через диод можно пускать меньший ток, и индуктивность в цепи транзистора можно сделать меньше. Для ШИМ эта идея плохо подходит, но и то, ШИМ можно ограничить снизу и совместить с пропуском импульсов.

Не могу придумать схему для этого варианта. Есть у кого-нибудь идеи?

То есть, я хочу сказать, здесь уже токовый транс будет использован по прямому назначению, а вносимая им индуктивность минимальна.

Упс. Сорри. Схема в начале ветки как раз такая и есть...

А, собственно, что мешает применить такую вкуснятину: IGBT параллельно с MOSFET?
На время выключения работает MOSFET, на нём выделяются изрядные статические потери, но за короткое время, а когда IGBT закрылся, он быстро рвёт ток. Общие потери на MOSFET будут значительно ниже, чем динамические на голом IGBT.
При включении пары сигнал управления подаётся одновременно на оба транзистора. MOSFET очень быстро включается, динамические потери минимальны, потом ток перехватывает IGBT, уменьшая падение напряжения. Это если нужно и можно большие dU/dt. А если нет - просто включаем IGBT, а MOSFET включаем только на время выключения IGBT.
Думаю, это будет лучше извратов с демпферными диодами...