Снаббер на медленном диоде, Возможно ли? Опции

[Прохожий]

Сначала суть. Вниманию уважаемого сообщества предлагается снаббер следующей конструкции:
[attachment=22990:attachment]
Это общеизвестная идея. Здесь VD1 - диод с большим временем обратного восстановления.
В теории это должно работать следующим образом:
[attachment=22992:attachment]
Здесь зеленое - напряжение на IGBT, а красное - его ток коллектора.
Как видно из последнего рисунка - закрывание IGBT происходит при низком напряжении, что позволяет снизить динамические потери.
Беда только в одном - таких диодов (типа VD1 из верхнего рисунка) в реальности не существует.
А может существуют?... А я не нашел?
Если кто в курсе - подскажите, пожалуйста.

Сообщение отредактировал Прохожий - Jul 21 2008, 19:31

[Прохожий]

Спасибо всем ответившим.
Однако, применение 1N4007 для моих токов неуместно. Боюсь его просто разорвет.
Что же касается остальных вариантов, то в качестве медленного диода за основу была взята модель диода 40EPS12. Для достижения результата, полученного в виде рисунков, в исходной модели значительно увеличены параметры TT и СJO. Иначе, ток "накачки" получается очень большой.
Предложение о токе перед закрыванием может привести к чрезмерному усложнению управляющей схемы. Кроме этого, время "накачки" диода током так же имеет значение. Если это время малО, то и задержка так же малА.
Кроме всего прочего, работа стандартных выпрямительных диодов при больших, часто повторяющихся токах реверса, производителем не гарантируется. Поэтому, применение этих диодов в подобных снабберах считаю радиолюбительством.
Речь в стартовом сообщении шла о специальных диодах, которые в полном смысле слова "диод" таковыми, по всей вероятности, уже не являются.
По моим данным 15 летней давности, разработкой таких полупроводниковых приборов занимались в Запорожье в приложениях с GTO.
Допускаю так же, что подобные решения могут быть интегрированы непосредственно в силовые модули ряда фирм. Особенно, если предположить, что ток "накачки" удалось уменьшить до единиц миллиампер.
Вопрос состоял в следующем - может кому доводилось встречать в жизни подобные полупроводниковые приборы?

[dinam]

Не совсем понятна в чем причина опасения использования диодов в таком режиме? Из-за чего диод может вылететь? Напряжения, тока, их скорости нарастания, перегрева? Вы случайно не о transient voltage suppressor спрашивали?

[Прохожий]

Не совсем понятна в чем причина опасения использования диодов в таком режиме? Из-за чего диод может вылететь? Напряжения, тока, их скорости нарастания, перегрева?

Ну хотя бы от ускоренной деградации кристалла и, как следствие, роста диффузионного тока. ПМСМ, поскольку я не очень большой специалист в области физики твердого тела. Но ограничения, накладываемые производителем на реверсивный ток, наводят именно на такие мысли.

Вы случайно не о transient voltage suppressor спрашивали?

То, о чем Вы говорите у меня тоже используется (на рисунке в виде стабилитрона).

Прохожий! Не идеализируете лы Вы условия в программе?

Если и идеализирую, то слегка. Все полупроводники максимально приближены к боевым условиям. А реальную модель устройства здесь не привожу, чтобы уважаемое сообщество не цеплялось за частности. Уверяю Вас, что паразитные индуктивности и емкости на картинку практически не влияют.

На чем моделируете? Что это за параметры под транформатором изображены?

Моделирую в программе на букву О, версия 10 с половиной. Под трансформатором тока следующие параметры: AR - площадь поперечного сечения сердечника, PAT - средняя длина магнитной линии, RATIO - отношение числа витков во вторичной обмотке к числу витков в первичной обмотоке.

Получился "ну очень медленный" диод...
На ум приходят только селеновые столбы

Я думаю, что в реальности такие приборы уже давно существуют и позволяют буржуйским модулям обходиться либо вовсе без RCD снабберов, либо иметь дело с их вырожденными вариантами.

Мне всё покоя не даёт эта статья с сайта Семёнова...

Простите, но на мой взгляд, Вы не те шишки курите. Впрочем, на вкус и цвет...

А, собственно, что мешает применить такую вкуснятину: IGBT параллельно с MOSFET?
...

По-моему, йопнет... Тут одинаковые IGBT PT типа при запараллеливании это делают. А Вы полевик и IGBT в одну телегу запрягаете...

[SAVC]

Простите, но на мой взгляд, Вы не те шишки курите. Впрочем, на вкус и цвет...

Прохожий, давай не будем заводить разговор о шишках, топик не об этом.
К слову, я вообще не курю

По-моему, йопнет... Тут одинаковые IGBT PT типа при запараллеливании это делают. А Вы полевик и IGBT в одну телегу запрягаете...

Мда. Сейчас вот подробненько рассматриваю. И пока не вижу большого выигрыша в потерях...
Поторопился. Хотя, полевик все динамические потери принимает на себя честно
Может быть, нужно посто лучше подобрать режимы и компоненты.
IRG4BC40W не сильно отличается по параметрам от APT28GA60K, а это как раз IGBT PT типа.

 APT28GA60K_A.pdf ( 120.21 килобайт ) Кол-во скачиваний: 318
 irg4bc40w.pdf ( 129.46 килобайт ) Кол-во скачиваний: 248


Завтра ещё покопаю. Поставлю в схему IXGT35N120B. Чтобы всё как у тебя было.
И попробую уменьшить динамические потери.
Какое максимальное dU/dt при включении транзистора закладываешь?
Цепь драйвера использовать только такую или можно изменить?
Можно добавить отрицательное напряжение?

Ну, нет таких диодов! Почему ты думаешь, что они есть?