Снаббер на медленном диоде, Возможно ли? Опции

[Прохожий]

Сначала суть. Вниманию уважаемого сообщества предлагается снаббер следующей конструкции:
[attachment=22990:attachment]
Это общеизвестная идея. Здесь VD1 - диод с большим временем обратного восстановления.
В теории это должно работать следующим образом:
[attachment=22992:attachment]
Здесь зеленое - напряжение на IGBT, а красное - его ток коллектора.
Как видно из последнего рисунка - закрывание IGBT происходит при низком напряжении, что позволяет снизить динамические потери.
Беда только в одном - таких диодов (типа VD1 из верхнего рисунка) в реальности не существует.
А может существуют?... А я не нашел?
Если кто в курсе - подскажите, пожалуйста.

Сообщение отредактировал Прохожий - Jul 21 2008, 19:31

[zzzzzzzz]

Задача нестандартная. Сейчас все наоборот, стремяться разрабатывать диоды с минимальным временем восстановления. Для этого чего только не придумывают технологически.
Но, в том, что Вы описали, нет фундаментальных ограничений.
Мои попытки найти такой диод не дали результатов, но, возможно, вы это сможете сделать лучше меня.
Разработать такой диод можно наверняка, но это полноценная ОКР с несколькими итерациями - даже не представляю, кто бы мог сейчас такую провести.

- Если актуально, то надо пообщаться с разработчиками техпроцессов и приборов, работающих плотно в ТСАD. Они могут точно подтвердить или опровергнуть возможность изготовления диода с такими параметрами. Проводить же нужные расчеты вручную возможно, но это крайне хлопотное занятие с высокой погрешностью.

- Если весь этот огород только для того, чтобы задержать низкий потенциал на коллекторе IGBT транзистора на время его закрытия, то мне лично это представляется не совсем "в струе НТ прогресса" - гораздо эффективнее разрабатывать в таком случае не какой-то "волшебный" диод, а более шустрый на закрывании транзистор.

- Возможно, стоит рассмотреть возможность использования мощного высоковольтного МОП-транзистора вместо этого диода. Управление им можно организовать любое необходимое. Таким путем идет "просвещенное человечество" уже давно, и схем синхронных и интеллектуальных мостов, например у IRF, множество.

Извините, пока мне больше сказать как бы и нечего. Рад бы помочь чем-нибудь, но это не "моя чашка чая". В этой области Вы знаете побольше меня, как мне кажется.

[SAVC]

- Если весь этот огород только для того, чтобы задержать низкий потенциал на коллекторе IGBT транзистора на время его закрытия, то мне лично это представляется не совсем "в струе НТ прогресса" - гораздо эффективнее разрабатывать в таком случае не какой-то "волшебный" диод, а более шустрый на закрывании транзистор.

Тут вся зацепка в том, чтобы использовать дешёвый медленный IGBT + дешёвый медленный диод.
Это очень красиво, технически и экономически выгодно.
В любом случае выгодно.
Да, это именно другой путь...

- Возможно, стоит рассмотреть возможность использования мощного высоковольтного МОП-транзистора вместо этого диода. Управление им можно организовать любое необходимое. Таким путем идет "просвещенное человечество" уже давно, и схем синхронных и интеллектуальных мостов, например у IRF, множество.

Рассматриваем такую возможность
Вобщем-то, использовал даже.
Только область применения маленька получается.
Чем выше напряжения, тем хуже со всеми параметрами.
Вобщем, MOSFET сдерживает. Сопротивление возрастает, эффект смазывается.
Параллелить - дороже, к тому же, ёмкости больше.
В любом случае, при применении MOSFET выходная ёмкость возрастает в разы.
А это увеличивает потери на включение.
Стоимость тоже возрастает.
В целом, мы выигрываем при выключении, проигрываем при включении и увеличиваем стоимость.
Такие дела имеет смысл юзать в ZVS схемах, когда делается ставка на КПД.
Потери на включение уменьшаются почти до нуля, а выключаться такой гибрид начинает реально быстрее.
А вот медленный диод - это просто здорово.
Очень дёшево, малая выходная ёмкость, и не требуется усложнять драйвер.
Только, не получается пока

Да. Вот ещё что...
Можно поставить два MOSFETа последовательно вместо одного более высоковольтного. При этом по сопротивлению канала выигрываем примерно в те же 2 раза, выходная ёмкость тоже уменьшается в два раза, но появляется ещё один летающий в воздухе драйвер.
Такие вот экстенсивные пути развития имеются на сегодня
Хотелось бы качественного скачка...

Отсюда постоянная возня с резонансными преобразователями на сравнительно медленных IGBT и прочий гемор со снабберами.

Совершенно непонятна Ваша нелюбовь к резонансным схемам.
За ними будущее.

Заметьте, все синхронные мосты и выпрямители расчитаны на работу при низких напряжениях.

На маленькие напряжения они рассчитаны из-за того, что именно в этих случаях имеет смысл применять MOSFETы.

Сообщение отредактировал SAVC - Aug 3 2008, 11:00