Волшебство с транзистором, нет стабильности тока стока NE3210 nec Опции

[serega_sh____]

День добрый.
Исследую транзистор NEC NE3210 (супер малошумящий)
схема включения следующая:

на входе и выходе 50 ом, и питающие цепи. пытался измерить S-параметры.
Питание подается сразу с источников питания (-0.9в, 2в. умных keitley). Нет никаких цепей ООС, ПОС, резисторов и тп.

Обнаружил что со временем, при const Uпит, ток стока растет. Если напряжение на затворе делаю =0 (замыкаю пинцетом или крутилкой быстро скручиваю и обратно закручиваю) восстанавливаю р.т. - Ток стока приходит в норму, а через некоторое время опять начинает расти. Снимал ВАХ - в норме (но чуть раньше начинает открываться на входной вах) ВАХ снимал в автоматическом режиме время измерения 3-5 сек.

Господа Вы когданибудь сталкивались с таким? Такое ощущение что обратный ток сток-затвор накапливает заряд гдето и открывает транзистор, но при изменении напряжения этот заряд рассасывается.

[grandrei]

1. Про устойчивость. Если вы под гармониками понимаете всякие возможные компоненты в указанном вами спектре (это обычно называется spurious), то возможно, что в этом диапазоне у вас ничего и нет, хотя надо также внимательно смотреть на общий шумовой уровень, поскольку при возможности потенциальной неустойчивости (К < 1) в определенном частотном диапазоне (имеется ввиду, что схема может возбудиться при каких-нибудь небольших изменениях ее параметров или условий внешней среды), он там может быть слегка приподнят. Однако, надо иметь ввиду, что возможны и низкочастотные возбуждения ниже 10 МГц. Но это при измерениях отдельного транзистора, поскольку в реальной цепи при включении дополнительных реактивных элементов (согласующих цепей, например), они могут вносить свой негативный вклад в возникновение автоколебаний за счет изменения условий самовозбуждения внешними элементами (не забывайте, что транзистор имеет внутреннюю обратную связь за счет емкости база-коллектор/затвор-сток или общей индуктивности эмиттера/стока). С другой стороны, зачем вам измерение S-параметров транзистора во всем диапазоне частот, вы же их не разрабатываете, а используете для создания конкретных цепей (если, конечно, не собираетесь создавать его нелинейную модель, но это дело серьезное)? Мне представляется, что вам надо просто померять входной и выходной импедансы транзистора, трансформировав измеренные S-параметры в рабочем диапазоне частот в Z- или Y-параметры, а уж затем исследовать устойчивость по параметру К всей схемы и во все частотном диапазоне.

2. Что касается четвертьволновых линий, то они узкополосны и имеют периодические характеристики (ХХ на первой и нечетных гармониках и КЗ на второй и четных гармониках), а на более низких частотах их индуктивное сопротивление существенно уменьшается согласно Zo*tan(teta). Поэтому и получается, что реально S-параметры транзистора вы меряете только в узкой полосе в районе первой гармоники, а в остальных случаях - это уже S-параметры схемы, которая включает как транзистор, так и четвертьволновую линию. Поэтому для измерений S-параметров только транзистора, надо либо откалибровать всю схему без транзистора во всем частотном диапазоне, либо использовать дроссель (или систему дросселей), имеющего существенно большее сопротивление по сравнению с импедансами транзистора, когда его эффект пренебрежимо мал.

Сообщение отредактировал grandrei - Aug 4 2008, 11:48