MOSFET вместо шунта., Pro & contra Опции

[_Pasha]

Доброго времени года
Решил продолжить модную ныне тему про эффективные датчики тока для инверторной техники. Попалась как-то картинка с IR2130/IRG4PC50UD и всей отсюда вытекающей обвязкой. Но самое интересное - шунт состоял из мосфета в корпусе D2PACK, все время открытого, и параллельно резистор 1 Ом. И аргументация автора типо:

Сопротивление открытого канала сейчас прекрасно нормировано во всех мосфетах, плюс еще получаем низкую индуктивность. За очень маленькие деньги.

Интересно пообсуждать. СтОит ли игра свеч? Нет ли подводных камней (наверняка есть !!!) с паразитным обратным диодом, с рекомбинацией носителей, и, что самое главное, не возникнет ли генерация при переходе от проводимости канала к проводимости диода. Кто что думает ?

[Максим Зиновьев]

не возникнет ли генерация при переходе от проводимости канала к проводимости диода.

Как возникнет переход при открытом канале?

[_Pasha]

Как возникнет переход при открытом канале?

Может я матчасть немного того, но я так понял:
1. Пусть нижний транзюк IGBT полумоста выключился. Имеем ток, который вследствие индуктивной нагрузки пойдет в обратном направлении через диод у IGBT, следовательно, и через наш шунт.
2. Ток течет через открытый канал, но проводимость канал инверсная.

Вопрос: в этом случае паразитный диод и открытый, но инверсно проводящий канал это одно и то же или все-таки разные вещи?