MOSFET вместо шунта., Pro & contra Опции

[_Pasha]

Доброго времени года
Решил продолжить модную ныне тему про эффективные датчики тока для инверторной техники. Попалась как-то картинка с IR2130/IRG4PC50UD и всей отсюда вытекающей обвязкой. Но самое интересное - шунт состоял из мосфета в корпусе D2PACK, все время открытого, и параллельно резистор 1 Ом. И аргументация автора типо:

Сопротивление открытого канала сейчас прекрасно нормировано во всех мосфетах, плюс еще получаем низкую индуктивность. За очень маленькие деньги.

Интересно пообсуждать. СтОит ли игра свеч? Нет ли подводных камней (наверняка есть !!!) с паразитным обратным диодом, с рекомбинацией носителей, и, что самое главное, не возникнет ли генерация при переходе от проводимости канала к проводимости диода. Кто что думает ?

[slog]

Сопротивление канала вещь не постоянная.

[_Pasha]

Сопротивление канала вещь не постоянная.

Пример, пока еще не имеющий практ. ценности:
транзистор IRLL024N имеет RDS_on= 65 мОм. При Vgs = 3V имеется термостабильная точка, при которой ампер от 1 до 6 при хорошей линейности можно мерять. Пока не спайсил, хотя спайсится оно легко.

А вот падение напряжения на открытом рабочем транзисторе вполне можно использовать как сигнал перегрузки трранзистора по току.

Просьба метод контроля насыщения транзистора здесь не обсуждать, ввиду того, что с ним все ясно. В хорошем смысле