MOSFET вместо шунта., Pro & contra Опции

[_Pasha]

Доброго времени года
Решил продолжить модную ныне тему про эффективные датчики тока для инверторной техники. Попалась как-то картинка с IR2130/IRG4PC50UD и всей отсюда вытекающей обвязкой. Но самое интересное - шунт состоял из мосфета в корпусе D2PACK, все время открытого, и параллельно резистор 1 Ом. И аргументация автора типо:

Сопротивление открытого канала сейчас прекрасно нормировано во всех мосфетах, плюс еще получаем низкую индуктивность. За очень маленькие деньги.

Интересно пообсуждать. СтОит ли игра свеч? Нет ли подводных камней (наверняка есть !!!) с паразитным обратным диодом, с рекомбинацией носителей, и, что самое главное, не возникнет ли генерация при переходе от проводимости канала к проводимости диода. Кто что думает ?

[_Pasha]

в DC-DC конвертерах серии NGA видел шунты в 3 мом в корпусе 1206... на вид - обычные smd резисторы

1206 - это не впечатляет, поскольку ток можно через них пропустить не более 7А, если брать 0.25Вт с 1.3 запасом, как ужЕ где-то здесь отмечалось при обсуждении резисторов.

Не согласен по нескольким причинам.
*****************************************

Ну, в общем, Вы забили крепкий гвоздь в эту идею.

Для защиты от многократного превышения рабочего тока относительно расчётного (КЗ, другими словами) такое решение, безусловно, имеет право на существование. Уж с этим я точно не спорю.

... но гораздо правильнее для этого случая будет desaturation detect - контроль насыщения открытого силового ключа

[Herz]

1206 - это не впечатляет, поскольку ток можно через них пропустить не более 7А, если брать 0.25Вт с 1.3 запасом, как ужЕ где-то здесь отмечалось при обсуждении резисторов.

Не более 8, если придерживаться этого расчёта, но это постоянного, среднего. Парочку поставьте в параллель, если уж так необходимо. Я бы не стал именно на этом экономить.