MOSFET вместо шунта., Pro & contra Опции

[_Pasha]

Доброго времени года
Решил продолжить модную ныне тему про эффективные датчики тока для инверторной техники. Попалась как-то картинка с IR2130/IRG4PC50UD и всей отсюда вытекающей обвязкой. Но самое интересное - шунт состоял из мосфета в корпусе D2PACK, все время открытого, и параллельно резистор 1 Ом. И аргументация автора типо:

Сопротивление открытого канала сейчас прекрасно нормировано во всех мосфетах, плюс еще получаем низкую индуктивность. За очень маленькие деньги.

Интересно пообсуждать. СтОит ли игра свеч? Нет ли подводных камней (наверняка есть !!!) с паразитным обратным диодом, с рекомбинацией носителей, и, что самое главное, не возникнет ли генерация при переходе от проводимости канала к проводимости диода. Кто что думает ?

[_Pasha]

в DC-DC конвертерах серии NGA видел шунты в 3 мом в корпусе 1206... на вид - обычные smd резисторы

1206 - это не впечатляет, поскольку ток можно через них пропустить не более 7А, если брать 0.25Вт с 1.3 запасом, как ужЕ где-то здесь отмечалось при обсуждении резисторов.

Не согласен по нескольким причинам.
*****************************************

Ну, в общем, Вы забили крепкий гвоздь в эту идею.

Для защиты от многократного превышения рабочего тока относительно расчётного (КЗ, другими словами) такое решение, безусловно, имеет право на существование. Уж с этим я точно не спорю.

... но гораздо правильнее для этого случая будет desaturation detect - контроль насыщения открытого силового ключа

[Stanislav]

1206 - это не впечатляет, поскольку ток можно через них пропустить не более 7А, если брать 0.25Вт с 1.3 запасом, как ужЕ где-то здесь отмечалось при обсуждении резисторов.

Я бы вообще не рекомендовал использовать резисторы в корпусе 1206 для детекции больших токов. Лучше использовать спец. резюки с обратной геометрией выводов, напр., как RL и PRL серии от Susumu:
http://www.susumu.co.jp/english/pdf/products-j01-07.pdf
У Vishay, помнится, было ещё что-то подобное.
Из собственного опыта: резистор МЛТ-0,25 держит без разрушения импульсные токи минимум в 5-6 раз большие, чем резистор того же номинала и с той же расс. мощностью, но типоразмера 1206. Выгорание 1206 резистора начинается в области контакта металла вывода и резистивного слоя.

... но гораздо правильнее для этого случая будет desaturation detect - контроль насыщения открытого силового ключа

Э-э... Насыщение канала ПТ - это, видимо, не совсем то, о чём Вы написали, и соответствует он именно "горизонтальной" части выходной характеристики. Полностью включенный полевик находится в режиме активного сопротивления.
Для ключевого БТ определение верно, и такой контроль осуществляют именно для подобных приборов.
Хотя, на мой взгляд, особой нужды в этом нет. Для обеспечения безопасных условий работы ключа достаточно измерять мгновенные значения тока через него, контролируя одновременно температуру корпуса. При достижении пороговых значений - отрубать, только и всего.

Пример, пока еще не имеющий практ. ценности:
транзистор IRLL024N имеет RDS_on= 65 мОм. При Vgs = 3V имеется термостабильная точка, при которой ампер от 1 до 6 при хорошей линейности можно мерять.

Простите, а можно подробнее? Вопрос, собственно, таков: о температурной стабильности какого параметра при Vgs = 3V идёт речь?
Если сопротивления канала, то на графиках из даташита я такой точки почему-то не углядываю; скорее наоборот.