Источник тока для индуктивной нагрузки. Самовозбуждение!, Тем, кто разбирается в паразитых параметрах БТ. Из-за чего возбуд? Опции

[Vldmr]

Появилась потребность сделать источник тока для индуктивной нагрузки. Не вдаваясь в подробности скажу, что почему-то схема(см. рисунок) постоянно самовозбуждается. Подключаешь резистор вместо идуктивной нагрузки - всё впорядке, самовозбуждения нет. Уменьшал коэф. усиления усилителя вводя локальную ООС, вешал RC-цепочку в обратную связь. Помогает, естествено, но всё-таки гложет, почему самовозбуждается схема? Знаю, что здесь замешаны паразитные параметры транзистора. Но какие? Из-за чего всё-таки возбуждается схема и что можно включить в цепь обратной связи, чтобы обеспечить полосу пропускания ООС побольше?

Эскизы прикрепленных изображений

 

[rudy_b]

В дарлингтоне частельно возникает самовозбуд даже если его использовать без опера, подавая напряжение на базу через резистор. Это связано с паразитными емкостями. Наблюдал неоднократно. В данной схеме ОС на ВЧ усугубляется индуктивной нагрузкой. Автору стоит попробовать исключить опер и подать напряжение на базу с потенциометра. А если в этом варианте самовозбуда не будет (при всех токах) - тогда уже грешить на опер. Кстати, лучше использовать полевик на выходе и ограничить выброс на нагрузке.

[Tanya]

В дарлингтоне частельно возникает самовозбуд даже если его использовать без опера, подавая напряжение на базу через резистор. Это связано с паразитными емкостями. Наблюдал неоднократно. В данной схеме ОС на ВЧ усугубляется индуктивной нагрузкой. Автору стоит попробовать исключить опер и подать напряжение на базу с потенциометра. А если в этом варианте самовозбуда не будет (при всех токах) - тогда уже грешить на опер. Кстати, лучше использовать полевик на выходе и ограничить выброс на нагрузке.

Классика такова. Индуктивность включается к Источнику Напряжения (с оконечным эмиттерным повторителем). Оный Источник Напряжения управляется (тут варианты..) от усилителя разбаланса тока.
Скорость нарастания (убывания) задатчика тока должна быть ограничена. Несимметрично, возможно, так как при сбрасывании тока (с той же скоростью) на транзисторе мощность будет много больше...
Куда ставить шунт - дело вкуса.