Помогите с phase-shift bridge with ZVT, ИИП 2КВт с высоким кпд Опции

[frz]

Задача следующая: сделать ИИП Uвх=320В Uвых=40В+-5% Iвых=50А КПД хотелосьбы~90%, никаких требований к динамике(постоянная нагрузка), Из всех топологий больше всего привлекает мост с phase-shift. Прочитал пару унитродовских семинаров в которых говорится о ZVT (Zero Voltage Transition)
Ранее собирал мосты с ШИМ, но phase-shift c ZVT никогда не пробовал, из семинаров не очень понял как выбирается резонансная индуктивность (на схеме L1), если ктонибудь собирал что-то подобное пожалуйста помогите

[Guest_orthodox_*]

Задача следующая: сделать ИИП Uвх=320В Uвых=40В+-5% Iвых=50А КПД хотелосьбы~90%, никаких требований к динамике(постоянная нагрузка), Из всех топологий больше всего привлекает мост с phase-shift. Прочитал пару унитродовских семинаров в которых говорится о ZVT (Zero Voltage Transition)
Ранее собирал мосты с ШИМ, но phase-shift c ZVT никогда не пробовал, из семинаров не очень понял как выбирается резонансная индуктивность (на схеме L1), если ктонибудь собирал что-то подобное пожалуйста помогите

А тут IMHO чего-то не то со схемой... Чего-то не получается ZVT... Может, емкость пропустили где?

[asdf]

А тут IMHO чего-то не то со схемой... Чего-то не получается ZVT... Может, емкость пропустили где?

Да нет , скорее всего имеется ввиду квазирезанансник у которого используются сток-истоковые емкости Voss.
Не знаю как Unitrode, а Microchip балуется с такими схемами.
В первом приближении -
L*(I^2)>(Coss1+Coss2)*(Vs^2)
Где Coss - емкости транзисторов верхнего и нижнего плеч при напряжении питания Vs.
Я бы добавил еще процентов 30 на неопределенность емкостей при перезарядке.
А еще лучше зашунтировать транзисторы реальными емкостями, для мощности в 2кВт и частоты порядка 300 кГц, навскидку, 0.5 нФ.

[frz]

Да нет , скорее всего имеется ввиду квазирезанансник у которого используются сток-истоковые емкости Voss.
Не знаю как Unitrode, а Microchip балуется с такими схемами.
В первом приближении -
L*(I^2)>(Coss1+Coss2)*(Vs^2)
Где Coss - емкости транзисторов верхнего и нижнего плеч при напряжении питания Vs.
Я бы добавил еще процентов 30 на неопределенность емкостей при перезарядке.
А еще лучше зашунтировать транзисторы реальными емкостями, для мощности в 2кВт и частоты порядка 300 кГц, навскидку, 0.5 нФ.

Ну какраз на Unitrode и натолкнулся на эту схему, да резонансное переключение какраз происходит за счёт L1 и собственных емкостей транзисторов. интересует собирал ли кто квазирезонансники и как они себя ведут- привиденная выше схема при моделировании показывает минимальные потери на ключах при L1=0 на мощности 2КВт (эффективный коофициент заполнения 80-90%) вот и встал вопрос может чтото недопонимаю? Или это происходит из-за индуктивности транса (если её энергии хватает для ZVT, и дальнейшее увеличение бессмысленно). Частота преобразования- выше 100КГц лезть чтото побаиваюсь - всетаки 2КВт..

[asdf]

- привиденная выше схема при моделировании показывает минимальные потери на ключах при L1=0 на мощности 2КВт (эффективный коофициент заполнения 80-90%) вот и встал вопрос может чтото недопонимаю? Или это происходит из-за индуктивности транса (если её энергии хватает для ZVT, и дальнейшее увеличение бессмысленно). Частота преобразования- выше 100КГц лезть чтото побаиваюсь - всетаки 2КВт..

Модель, скорее всего, более или менее правильно показывает.
Дело в том, что для того чтобы данная схема была эффективной, время выключения транзистора (фронт Tf) должен быть меньше времени перезаряда емкостей (С1+С2) от тока индуктивности.
Иначе динамические потери будут определяться этим фронтом, а не квазирезонансной цепочкой и выигрыша не будет. Таких транзисторов мало или они дорогие - например IXYS DE275-501N16, для Вашего случая (W=2Квт, Vs=400V) - фронт 2-4нсек будет в 3-4 раза короче времени перезаряда емкостей Coss~(2*150pF).
Вобщем, я думаю, баловство это , если хотите работать в квазирезанасном режиме, ставьте внешние конденсаторы. А то экономя полбакса на конденсаторе, теряете десятки баксов на транзисторе.

[frz]

Модель, скорее всего, более или менее правильно показывает.
Дело в том, что для того чтобы данная схема была эффективной, время выключения транзистора (фронт Td(off)) должен быть меньше времени перезаряда емкостей (С1+С2) от тока индуктивности.
Иначе динамические потери будут определяться этим фронтом, а не квазирезонансной цепочкой и выигрыша не будет. Таких транзисторов мало или они дорогие - например IXYS DE275-501N16, для Вашего случая (W=2Квт, Vs=400V) - фронт 2-4нсек будет в 3-4 раза короче времени перезаряда емкостей Coss~(2*150pF).
Вобщем, я думаю, баловство это , если хотите работать в квазирезанасном режиме, ставьте внешние конденсаторы. А то экономя полбакса на конденсаторе, теряете десятки баксов на транзисторе.

Я не говорил что хочу сэкономить , просто не связывался с подобными схемами, ща попробую в модельку добавить конденсаторы

[dinam]

Хорошие внешние конденсаторы, помогут повысить КПД, IMHO. Т. к. тангенс угла потерь у хорошего кондера поменьше будет, чем у полупроводникой структуры.