Собирался делать импульсник мощностью 2Квт - phase sift bridge частота преобразования 100Кгц, и особо незадумываясь в качестве ключей выбрал MOSFET'ы IRFP22N50, даже не думая что на таких частотах могут работать IGBT.. Залез на www.irf.com фактически случайно залез в IGBT и обнаружил IRGP35B60- Trise=8нс Tfall=12нс, в ИИП очень хочется добиться ZVS, теперь склоняюсь к этим транзисторам, хотел бы услышать мнения в пользу MOSFEET'ов или IGBT
|