MOSFEET vs IGBT, или IGBT для 100Кгц Опции

[frz]

Собирался делать импульсник мощностью 2Квт - phase sift bridge частота преобразования 100Кгц, и особо незадумываясь в качестве ключей выбрал MOSFET'ы IRFP22N50, даже не думая что на таких частотах могут работать IGBT.. Залез на www.irf.com фактически случайно залез в IGBT и обнаружил IRGP35B60- Trise=8нс Tfall=12нс, в ИИП очень хочется добиться ZVS, теперь склоняюсь к этим транзисторам, хотел бы услышать мнения в пользу MOSFEET'ов или IGBT

[isc]

Про частоту это конечно надо подумать.. Тоесть окончательно определюсь только после сборки макета: не хочется много обмотки мотать и черезчур увеличивать размер транса .Очень хочется из ETD59 выдавить такую мощность, но если нет - то Е70 уже лежит на полке и ждет своего часа , но с другой стороны скин, потери в феррите, потери в ключах.. Такчто истину буду определять экспериментально Что касаемо ZVS- меня вполне устроит от 50 до 100% нагрузки. Времена задержки у этих транзисторов не маленькие, но всеже timedelay здесь выручит. Кстати не подскадите какую ИС контроллера хотели использовать? - у меня в наличае только UC3875, собственно на ней и строю макет

UC2895

У меня один инвертор на ней Uвх 400-720в Uвых 28в 125А 20кГц уже год как в производстве.
на IRG4PH40UD Силовой транс двойной epcos E65N87

UC2895 микруха шикарная.

скоро надо сделать такой же но на Uвх 380- 400В..