реклама на сайте
подробности

 
 
> MOSFEET vs IGBT, или IGBT для 100Кгц
frz
сообщение Nov 26 2008, 08:07
Сообщение #1


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 212
Регистрация: 23-09-08
Из: Новосибирск
Пользователь №: 40 406



Собирался делать импульсник мощностью 2Квт - phase sift bridge частота преобразования 100Кгц, и особо незадумываясь в качестве ключей выбрал MOSFET'ы IRFP22N50, даже не думая что на таких частотах могут работать IGBT.. Залез на www.irf.com фактически случайно залез в IGBT и обнаружил IRGP35B60- Trise=8нс Tfall=12нс, в ИИП очень хочется добиться ZVS, теперь склоняюсь к этим транзисторам, хотел бы услышать мнения в пользу MOSFEET'ов или IGBT
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
vlvl@ukr.net
сообщение Dec 1 2008, 07:49
Сообщение #2


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 320
Регистрация: 4-03-05
Из: г.Киев
Пользователь №: 3 058



Гдето в апликухах когда встречал анализ по потерям , проводили сравнение MOSFEET'ов и IGBT. Получилось, что до 1кВт наименьшие потери на MOSFEETе, а далее IGBT.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 24th July 2025 - 14:53
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01379 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016