MOSFEET vs IGBT, или IGBT для 100Кгц Опции

[frz]

Собирался делать импульсник мощностью 2Квт - phase sift bridge частота преобразования 100Кгц, и особо незадумываясь в качестве ключей выбрал MOSFET'ы IRFP22N50, даже не думая что на таких частотах могут работать IGBT.. Залез на www.irf.com фактически случайно залез в IGBT и обнаружил IRGP35B60- Trise=8нс Tfall=12нс, в ИИП очень хочется добиться ZVS, теперь склоняюсь к этим транзисторам, хотел бы услышать мнения в пользу MOSFEET'ов или IGBT

[Guest_orthodox_*]

Вместе с phase sift bridge должен хорошо работать последовательный резонанс в первичке, то есть индуктивность и емкость последовательно (явная емкость, а не емкость обмотки).
Потому что выключение для IGBT - основная проблема, включение можно по-разному разгрузить - легче.
Тогда и частота легче поднимается, и выпрямлять выход проще (диоды медленнее можно), и трансформатор меньше греется - высшие гармоники фильтруются еще до него.
Но там свои проблемы - силовые емкости, довольно высокое напряжение в резонансе (утешение, что сам можешь выбрать добротность) - ну, специфика, одним словом.
Но если все решить по-людски и не лениться считать и моделировать, довольно красиво выходит.
Иногда дросселем может работать индуктивность рассеяния.

И как раз для IGBT это построение естественно - в том числе и потому, что им более пох непрямоугольность тока - рассеиваемая в статике мощность не так растет как у мосфетов.