Разводка BGA 1.0 мм, Какую структуру слоев заложить ? Опции

[Костян]

Итак нужно развести FF668 BGA c шагом 1мм (Virtex-4). Из-за наличия аналоговой и цифровой части (несколько напряжений) и мало задействованные I/O выбрал следующий порядок слоев:
1. Top (сигнал)
2. GND
3. VDD1
4. VDD2
5. GND
6. Bot (сигнал)

Вопросы.
1. Собираюсь использовать ширину дорожек w= 0.1мм и фольгу 18мкм. По расчетам для получения сопротивления Zo=50 мне нужно использовать между слоями Top и GND один слой препрега 2116. Технологически это представляет трудности использовать только один слой препрега ? Либо же лучше использовать два слоя препрега , но увеличивать величину дорожки вне BGA , а под микросхемой оставлять 0.1 мм (думаю на коротком участке изменение сопротивления не повлияет на работу)?
2. Какой тип ядра на базе FR4 использовать предпочтительно в данном случае? и какой тип и сколько слоев препрега закладывать между 3 и 4 слоем ?

[avesat]

... С аналоговой части прет LVDS сигнал на частоте 300 МГЦ. В даташите дана схема включения: 50 Ом-ная линия передачи и в конце между P и N терминатор на 100 Ом.
Как здесь поступить ?
1. Сделать линию 65-90 Ом и терминатор соответсвенно 130-180 Ом ?
2. Сделать линию 50 Ом , ведя lvds сигнал широким проводником, а под BGA корпусом уменьшить, чтобы завести на ПАД ?
...

100 Oм дифф пару

[Костян]

100 Oм дифф пару

аргументируйте , плиз.

[Uree]

аргументируйте , плиз.

Если в даташите нарисован "100 Ом терминатор" - значит сопротивление линии должно быть 100 Ом, а в данном случае 100 Ом дифференциальные, потому как LVDS. Или у Вас есть другие варианты?

[Костян]

Если в даташите нарисован "100 Ом терминатор" - значит сопротивление линии должно быть 100 Ом, а в данном случае 100 Ом дифференциальные, потому как LVDS. Или у Вас есть другие варианты?

нет.. терминатор между P и N линиями - 100 Ом

Так вот и вопрос, какое сопростивление дорожек для LVDS делать?

Эскизы прикрепленных изображений