кр1182гг3 Опции

[stells]

необходим гальванически развязанный нестабилизированный импульсный ИП с выходными параметрами 36В/250мА и 12В/200мА. остановился на полумостовом автогенераторе и тут попалась на глаза эта микросхемка - ключи встроенные, по цене - бутылка пива, да и искать не надо.
кто-нибудь пользовал?
[attachment=28053:attachment]

Сообщение отредактировал stells - Dec 22 2008, 07:58

[Microwatt]

необходим гальванически развязанный нестабилизированный импульсный ИП с выходными параметрами 36В/250мА и 12В/200мА. остановился на полумостовом автогенераторе и тут попалась на глаза эта микросхемка - ключи встроенные, по цене - бутылка пива, да и искать не надо.
кто-нибудь пользовал?
[attachment=28053:attachment]

Как и предыдущего советчика сомнения терзают.
Зачем Вам этот антиквариат? Работать может и будет, но обвязка такая, что замучаетесь это оживлять.
Неликвиды 15-20 летней давности нет смысла ни изучать, ни в аппаратуру закладывать, даже если их предлагают даром.
То, что предложили (TEA152X) или TNY266, 267 вполне решат Ваши проблемы, достаточно эффективно и даже со стабилизацией и защитой от КЗ за те же деньги.
Есть и современные полумосты, но без защиты от КЗ -IR51Н737, например.

[stells]

Как и предыдущего советчика сомнения терзают.
Зачем Вам этот антиквариат? Работать может и будет, но обвязка такая, что замучаетесь это оживлять.

собственно поэтому и вопрос был задан: насколько сложно запустить эту микросхемку и насколько надежно она работает.
предложенный контроллер флайбека (как собственно и другие) в случае нестабилизированного преобразователя не имеют преимуществ, зато имеют ряд недостатков: бОльшие импульсные токи, бОльший уровень помех, бОльшая вероятность лавинного пробоя, бОльшая вероятность насыщения сердечника. всего этого у полумоста нет.
по поводу сложности трансформатора для 1182гг3 - ничего там особенно сложного нет, есть только пара дополнительных обмоток витков по 5.
а вот за ссылку на IR51 большое спасибо! я искал в chipfindе полумостовые контроллеры со встроенными ключами, а на это семейство не набрел

В НТЦ СИТ, в принципе, неплохие разработчики, но микросхема на биполярных транзисторах, без активного рассасывания под высоким напряжением работать не должна (долго).

кстати транзисторы Q6 и Q7 в 1182гг3 как раз и предназначены для активного рассасывания базовых зарядов силовых ключей

Сообщение отредактировал stells - Dec 24 2008, 06:53

[Прохожий]

собственно поэтому и вопрос был задан: насколько сложно запустить эту микросхемку и насколько надежно она работает.

В принципе, К1182ГГ2Р и К1182ГГ3Р - не такие уж нелеквиды. Но обращаться с ними надо умеючи. Придется покупать несколько штук. Опять же возня с раскладкой обмоток... Ну и нестабилизированное выходное напряжение. Как следствие - практическая невозможность работы преобразователя в целом в широком диапазоне выходных напряжений.

предложенный контроллер флайбека (как собственно и другие) в случае нестабилизированного преобразователя не имеют преимуществ, зато имеют ряд недостатков: бОльшие импульсные токи, бОльший уровень помех, бОльшая вероятность лавинного пробоя, бОльшая вероятность насыщения сердечника. всего этого у полумоста нет.

Откуда такие сведения?
Все вышеперечисленное у полумоста (особенно на биполярных транзисторах) есть в полном объеме + возможность перекоса из-за несимметрии в полутактах, с которой бороться практически невозможно без специальных мер, уже обсуждавшихся на этой площадке.
Что касается предложенной схемы, то как раз у нее нет большого уровня помех, поскольку режим - критический, вероятность любого вида пробоя низка, если все правильно рассчитано, а насыщение сердечника, если все правильно рассчитано вообще невозможно. И даже если таковое по каким-то причинам произойдет, то это будет не так катастрофично, как для полумоста. По нескольким причинам:
1. Сердечник с концетрированным или распределенным зазором.
2. Быстродействующая токовая защита
Пиковые токи обоих преобразователей будут соизмеримы.

по поводу сложности трансформатора для 1182гг3 - ничего там особенно сложного нет, есть только пара дополнительных обмоток витков по 5.

Трансформатор для автогенератора - всегда сложен.

кстати транзисторы Q6 и Q7 в 1182гг3 как раз и предназначены для активного рассасывания базовых зарядов силовых ключей

Поверьте, для организации активного рассасывания недостаточно просто перемкнуть базу и эмиттер биполярного транзистора с помощью того же биполярного транзистора. В идеале нужно подать обратное нпряжение, близкое к напряжению пробоя эмиттерного перехода. При этом необходимо, чтобы скорость нарастания тока рассасывания была не более определенной величины. Эта величина, в свою очередь, определяется током коллектора, протекавшим перед началом выключения.
В противном случае, когда рассасывание носителей произойдет сначала из эмиттерной области, а потом из коллекторной наступит так называемый вторичный пробой и ку-ку.