Цитата(frz @ Jan 20 2009, 14:41)
А о каких именно проблемах вы говорите?
Дело в том что на таких высоких частотах значительная часть потерь припадает на динамические потери(потери включения-выключения), при таких мощностях в момент выключения потери в импульсе могут достигать 10кВт, хотя длительность их сравнительно небольшая, в районе 50-120нс , но все же кристалу становится нелегко, нужно чем побыстрее обирать это тепловыделение, прокладки же ухудшают теплопроводимость и увеличивают инерционность отбора тепла поэтому транзюк вскоре не выдержит.
Если же вам так важно использовать прокладки, можна припаять корпус тразюка сплавом розе к медной пластине толщиной не менее 2-3мм и площадью основания в несколько раз больше площади транзистора (чем больше, тем лучше), а потом этот "бутерброд" изолировать прокладками с термопастой, нужно обеспечить "идеально" ровную поверхность пластины с обеих сторон, старайтесь наносить чем потоньше слой термопасты, а так же припоя при запайке транзюка к пластине но при этом чтобы не было пустот. Пластинку крепите не менее чем с 4-ох сторон, также изолируя винтики от пластинки
.
Значительно уменьшить потери выключения можно с помощью снабберов, что я настоятельно рекомендую сделать.
Вы наверное будете использовать двухтактную схему? Ну меня же эти транзисторы стоят в сварочном инверторе на 100кГц, 3,5кВт со снабберами, но без прокладок, в схеме косого моста.
MOSFEET vs IGBT, или IGBT для 100Кгц
Nov 26 2008, 08:07
