MOSFEET vs IGBT, или IGBT для 100Кгц Опции

[frz]

Собирался делать импульсник мощностью 2Квт - phase sift bridge частота преобразования 100Кгц, и особо незадумываясь в качестве ключей выбрал MOSFET'ы IRFP22N50, даже не думая что на таких частотах могут работать IGBT.. Залез на www.irf.com фактически случайно залез в IGBT и обнаружил IRGP35B60- Trise=8нс Tfall=12нс, в ИИП очень хочется добиться ZVS, теперь склоняюсь к этим транзисторам, хотел бы услышать мнения в пользу MOSFEET'ов или IGBT

[Wiew]

смело можете ставить IRGP35B60 на 100кГц, проблемы могут появится если захотите изолировать их от радиатора через всякие тряпки-прокладки типа номакон, или другое "чудо" техники

[frz]

смело можете ставить IRGP35B60 на 100кГц, проблемы могут появится если захотите изолировать их от радиатора через всякие тряпки-прокладки типа номакон, или другое "чудо" техники

Вновь приступаю к разработке БП, месяц делал другую железку седня наконец всё получилось , теперь осталось найти куда заныкал детальки
А о каких именно проблемах вы говорите?

[Wiew]

А о каких именно проблемах вы говорите?

Дело в том что на таких высоких частотах значительная часть потерь припадает на динамические потери(потери включения-выключения), при таких мощностях в момент выключения потери в импульсе могут достигать 10кВт, хотя длительность их сравнительно небольшая, в районе 50-120нс , но все же кристалу становится нелегко, нужно чем побыстрее обирать это тепловыделение, прокладки же ухудшают теплопроводимость и увеличивают инерционность отбора тепла поэтому транзюк вскоре не выдержит.
Если же вам так важно использовать прокладки, можна припаять корпус тразюка сплавом розе к медной пластине толщиной не менее 2-3мм и площадью основания в несколько раз больше площади транзистора (чем больше, тем лучше), а потом этот "бутерброд" изолировать прокладками с термопастой, нужно обеспечить "идеально" ровную поверхность пластины с обеих сторон, старайтесь наносить чем потоньше слой термопасты, а так же припоя при запайке транзюка к пластине но при этом чтобы не было пустот. Пластинку крепите не менее чем с 4-ох сторон, также изолируя винтики от пластинки .
Значительно уменьшить потери выключения можно с помощью снабберов, что я настоятельно рекомендую сделать.
Вы наверное будете использовать двухтактную схему? Ну меня же эти транзисторы стоят в сварочном инверторе на 100кГц, 3,5кВт со снабберами, но без прокладок, в схеме косого моста.

[frz]

Дело в том что на таких высоких частотах значительная часть потерь припадает на динамические потери(потери включения-выключения), при таких мощностях в момент выключения потери в импульсе могут достигать 10кВт, хотя длительность их сравнительно небольшая, в районе 50-120нс , но все же кристалу становится нелегко, нужно чем побыстрее обирать это тепловыделение, прокладки же ухудшают теплопроводимость и увеличивают инерционность отбора тепла поэтому транзюк вскоре не выдержит.
Если же вам так важно использовать прокладки, можна припаять корпус тразюка сплавом розе к медной пластине толщиной не менее 2-3мм и площадью основания в несколько раз больше площади транзистора (чем больше, тем лучше), а потом этот "бутерброд" изолировать прокладками с термопастой, нужно обеспечить "идеально" ровную поверхность пластины с обеих сторон, старайтесь наносить чем потоньше слой термопасты, а так же припоя при запайке транзюка к пластине но при этом чтобы не было пустот. Пластинку крепите не менее чем с 4-ох сторон, также изолируя винтики от пластинки .
Значительно уменьшить потери выключения можно с помощью снабберов, что я настоятельно рекомендую сделать.
Вы наверное будете использовать двухтактную схему? Ну меня же эти транзисторы стоят в сварочном инверторе на 100кГц, 3,5кВт со снабберами, но без прокладок, в схеме косого моста.

Топология- полный мост с phase-sift+ ZVS. На таких мощностях ещё не работал но много чего другого охлаждал, думаю проблем не возникнет