samsung NAND, не пишется Опции

[RW9UAO]

самуснговская NAND K9F2G08U0M, 2048 + 64 байт страница. стираю блок, сначала записываю страницу данных (2048 байт), дожидаюсь завершения, читаю статус (команда 0х70), все в порядке.

col1 = 0x00
col2 = 0x00
row1 = (unsigned char) page;
row1 = (unsigned char) page>>8;
row1 = (unsigned char) page>>16;

затем пишу spare area (64 байта) той же страницы.

col1 = 0x00
col2 = 0x80
row1 = (unsigned char) page;
row1 = (unsigned char) page>>8;
row1 = (unsigned char) page>>16;
дожидаюсь завершения, читаю статус - все в порядке.
но иногда при последующем чтении видно, что или данные или спаре область не записались. то-ли не стер я её.... то-ли х.з. уже и в режим рандом ввода/вывода загонял. все равно некоторые страницы не пишутся. и их много. линукс как ни странно все пишет/читает хорошо =)

[RW9UAO]

Код

#define WRITE_NAND_COMMAND(d) do{ *(volatile unsigned char *)((unsigned long)base_addressCLE) = (unsigned char)(d); } while(0)
#define WRITE_NAND_ADDRESS(d) do{ *(volatile unsigned char *)((unsigned long)base_addressALE) = (unsigned char)(d); } while(0)
#define WRITE_NAND(d) do{ *(volatile unsigned char *)((unsigned long)base_address) = (unsigned char)d; } while(0)
#define READ_NAND() ((unsigned char)(*(volatile unsigned char *)(unsigned long)base_address))

int nand_wait_busy(struct chipio *cio, uint32_t usec) {
uint32_t a=0;

  for(a=0;a<5;a++)nanospin_ns(1000);
  
  for(usec = MAX_ERASE_USEC; usec; --usec) {
    if( (((AT91PS_PIO)base_PIO_C)->PIO_PDSR & AT91C_PIO_PC13) != 0){
      return(0);
    }

    nanospin_ns(1000);
  }
  // We will exit from the log and never reach here.
  return(-1);
}

//================================================================================
===================
int nand_erase_blk(struct chipio * cio, unsigned blk){
  unsigned char status;

#ifdef debug
  fprintf(stderr, "nand_erase_page: block %X\n", blk);
#endif
  
  //set NAND CE
  ((AT91PS_PIO)base_PIO_C)->PIO_CODR = AT91C_PC14_NCS3_NANDCS;

  WRITE_NAND_COMMAND(NANDCMD_ERASE);

    /* Push sector address in three cycles */
  WRITE_NAND_ADDRESS((blk >>  0) & 0xFF);
  WRITE_NAND_ADDRESS((blk >>  8) & 0xFF);
  WRITE_NAND_ADDRESS((blk >> 16) & 0xFF);

  WRITE_NAND_COMMAND(NANDCMD_ERASECONFIRM);

  if(nand_wait_busy(cio, MAX_ERASE_USEC) != 0) {
    fprintf(stderr, "nand_erase_blk: nand_wait_busy - error...\n");
    return(-1);
  }

  if(nand_wait_busy(cio, MAX_ERASE_USEC) != 0) {
    fprintf(stderr, "nand_erase_blk: nand_wait_busy - error...\n");
    return(-1);
  }

  WRITE_NAND_COMMAND(NANDCMD_STATUSREAD);

  if(nand_wait_busy(cio, MAX_READ_USEC) != 0) {
    fprintf(stderr, "nand_erase_blk: nand_wait_busy - error...\n");
    return(-1);
  }else{
      status = READ_NAND();
      if(status & NAND_PROGRAM_ERASE_ERROR){
        fprintf(stderr, "nand_erase_blk: ERROR ERASING BLOCK\n");
        return(-1);
      }
  }
  
  //clear NAND CE
//  ((AT91PS_PIO)base_PIO_C)->PIO_SODR = AT91C_PC14_NCS3_NANDCS;

  return 0;
}

облома при стирании не происходит. тем не менее при чтении страницы из стертого блока обнаруживается, что страница не чистая. куда рыть уже не знаю. времянки вроде выдержаны.